低噪

作品数：5186被引量：6360H指数：21
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一款应用于802.11ax的5.3~7.4 GHz CMOS低噪声放大器设计
《固体电子学研究与进展》2025年第1期52-58,共7页蒋欣怡 石春琦 黄磊磊 徐珑 张润曦 
上海市科委资助项目(22DZ2229004);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(40500-20103-222178)。
为满足IEEE 802.11ax应用的低噪声和大带宽需求,设计了一款5.3~7.4 GHz宽带低噪声放大器(Low noise amplifier, LNA)。采用无源变压器作为辅路,实现噪声抵消,在优化噪声系数的同时不增加功耗,与未采用噪声抵消的方案相比,噪声系数改善0....
关键词：低噪声放大器 无源辅路噪声抵消 调谐宽带 802.11ax 
基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制
《固体电子学研究与进展》2024年第5期379-383,共5页孙远 陈忠飞 陆海燕 吴少兵 任春江 王维波 章军云 
实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流...
关键词：磷化铟(InP) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电子束直写 太赫兹 低噪声放大器 
0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
《固体电子学研究与进展》2024年第2期125-130,共6页郝翔 王维波 闫俊达 袁巍 韩方彬 陶洪琪 
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提...
关键词：超宽带 低噪声放大器 共源共栅 单片微波集成电路 砷化镓 
一种低噪声全差分电荷泵型锁相环的实现
《固体电子学研究与进展》2023年第4期347-352,共6页师勇阁 胡勇华 高秋辰 
湖南省教育厅科学研究项目(20B242)。
采用HHGrace 180 nm CMOS工艺实现了一款低噪声全差分电荷泵型锁相环,可为物理层芯片提供精确且稳定的时钟信号。鉴频鉴相器和分频器采用电流模逻辑电路构成基本单元,提高了锁相环的工作速度;设计了一种改进型差分电荷泵,引入共模反馈...
关键词：全差分电荷泵 电流模逻辑 锁相环 压控振荡器 低噪声 
一种超宽带、高线性度正交调制器
《固体电子学研究与进展》2023年第1期34-39,77,共7页吴舒桐 张礼怿 戚福伟 刘雪莲 
基于SiGe工艺设计了一款超宽带、高线性度的正交调制器电路,主要包含本振移相模块、混频器模块和输出模块。其中本振正交信号产生电路采用RC多相滤波器结构,在超宽带下生成正交信号,并采用限幅放大器对信号的幅度和相位进行校准;混频器...
关键词：超宽带 高线性度 低噪声 正交调制器 
基于级间电容抵消技术的74~88 GHz高性能CMOS LNA设计
《固体电子学研究与进展》2022年第6期484-491,共8页康志谋 邹林峰 蒋欣怡 石春琦 张润曦 
中央高校基本科研业务费专项资金资助(40500-20103-222178);上海市科委资助项目(18DZ2270800)。
采用55 nm CMOS工艺,面向毫米波雷达应用,设计了一款74~88 GHz高性能CMOS低噪声放大器(LNA)。该LNA应用共源共栅结构,为了改善噪声系数、提高稳定性增益,采用级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术和基于反相双圈耦合的等效跨导增强...
关键词：寄生电容抵消 低噪声放大器 反相双圈耦合 电感反馈共栅短接 
用于5G移动终端N77频段的低噪声放大器设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2022年第6期498-504,共7页陈亮 高洁 李亚军 屠德成 
设计了一款用于5G移动通信N77频段(3.3~4.2 GHz)的低噪声放大器。该低噪声放大器采用65 nm绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)工艺实现。电路结构中采用放大通路切换、反馈切换等多种模式相结合的方式实现了6档增益可调,相比于仅使...
关键词：低噪声放大器 绝缘体上硅 5G 移动通信 
一款0.1~2.0 GHz的高线性度低噪声放大器被引量：2
《固体电子学研究与进展》2021年第5期370-375,共6页张博 贺城峰 
陕西省重点研发计划项目(2018ZDXM-GY-010);西安市集成电路重大专项(201809174CY3JC16)。
采用0.5μm GaAs pHEMT工艺研制了一款0.1~2.0 GHz的高线性度低噪声放大器芯片。针对偏置电压随电源波动的问题,提出一种新型的具有稳压功能的有源偏置电路,既能补偿放大管阈值电压随温度的变化,又不受电源电压波动影响,同时在放大管的...
关键词：砷化镓 高线性度 有源偏置 稳压电路 低噪声放大器 
基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制
《固体电子学研究与进展》2021年第1期14-17,23,共5页张亦斌 吴少兵 李建平 韩方彬 李忠辉 陈堂胜 
报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 KA波段 电子束直写 低噪声放大器 
用于5.8G网络的高增益低噪声放大器设计
《固体电子学研究与进展》2020年第3期180-185,共6页刘杰 于源 马婧妍 韩鑫婷 吴强 
设计了一款适用于5.8G网络的高增益低噪声放大器,采用两级低噪声放大器级联的形式提高放大器的增益参数,进行了放大器输入端、输出端和级间阻抗匹配。采用ATF-551M4作为核心器件,使用ADS软件实现放大器直流偏置电路设计、稳定性设计及...
关键词：5.8G网络 高增益 低噪声放大器 级间阻抗匹配 
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