低噪声放大器

作品数：1505被引量：1420H指数：12
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一种2.4GHz SiGe全集成射频前端电路被引量：3
《微电子学与计算机》2020年第10期7-12,共6页刘启 甘业兵 黄武康 
国家973计划项目(2013CB328903-2)。
基于0.18μm SiGe工艺设计了一款2.4 GHz全集成射频前端电路.该射频前端包含了四个单刀开关、一个功率放大器(PA)和一个低噪声放大器(LNA).基于联合设计的思路,该电路只有一个输入管脚和一个输出管脚,低噪声放大器的阻抗匹配网络与功率...
关键词：射频前端 低噪声放大器 功率放大器 低噪声 SIGE 联合设计 
极低温散粒噪声测试系统及隧道结噪声测量
《物理学报》2019年第7期105-114,共10页宋志军 吕昭征 董全 冯军雅 姬忠庆 金勇 吕力 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2016YFA0300600);国家自然科学基金(批准号:11574379;11174357)资助的课题~~
介观体系输运过程中载流子的离散性导致了散粒噪声.通过测量散粒噪声可以得到传统的基于时间平均值的电导测量无法得到的随时间涨落信息,因而作为一种重要手段在极低温量子输运研究中得到了一定的应用.极低温环境下的噪声测量是一种难...
关键词：稀释制冷机 低噪声放大器 散粒噪声 隧道结 
基于模拟总线接收端的CMOS增益可编程LNA
《太赫兹科学与电子信息学报》2018年第6期1113-1119,共7页方康明 尹韬 唐林怀 陈振雄 高同强 杨海钢 
国家自然科学基金资助项目(61474120);国家重点基础研究发展计划资助项目(2014CB744600);北京市科技重大专项资助项目(Z171100000117019)
面向模拟总线接收器应用,设计实现了一款CMOS增益可编程低噪声放大器(LNA)。内置高/中/低增益3个信号放大通路,以满足不同信号幅度情况下的模拟总线接收时的噪声、线性度与输入阻抗等性能需求。提出电容补偿漏电流方法提高高增益信号通...
关键词：低噪声放大器 输入阻抗提高 差分多门控晶体管 输入三阶交调点 
基于ADS的射频前端预选器的设计与仿真被引量：2
《计算机测量与控制》2015年第11期3875-3878,共4页杨维 周新志 
国家"973计划"资助项目(2013CB328903)
预选器作为射频接收前端的主要组成部分,对整个射频信号的接收有着重要的作用;针对实际无线通信环境下的应用,使用ADS软件设计了一种20 MHz^3.6GHz的射频前端预选器;在该设计中采用了亚倍频程滤波器组进行分段滤波和抑制镜像信号,并利...
关键词：射频前端 预选器 亚倍频程滤波器组 低噪声放大器 ADS 
CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器（英文）被引量：4
《红外与毫米波学报》2014年第6期584-590,共7页杨格亮 王志功 李智群 李芹 刘法恩 李竹 
Supported by the 973 project(2010CB327404);the 863 project(2011AA10305);National Natural Science Foundation of China(61106024,60901012)
陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器（LNA）.该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征：在28.5～39 GHz频段内测得的平坦增益大于10 dB;-3 dB带宽从27～42 GHz达到了15 GHz,这几乎覆盖了整个Ka带;最...
关键词：毫米波 宽带 互补金属氧化物半导体(CMOS) 共栅 低噪声放大器(LNA) 集成电路(IC) 
4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路被引量：3
《半导体技术》2013年第1期6-9,共4页许春良 王绍东 柳现发 高学邦 
国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。...
关键词：超宽带 低噪声放大器 行波 微波单片集成电路 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 
毫米波单片低噪声放大器的研制被引量：3
《东南大学学报（自然科学版）》2010年第3期449-453,共5页严蘋蘋 陈继新 洪伟 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327405);国家自然科学基金委创新研究群体科学基金资助项目(60921063)
采用OMMIC0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用...
关键词：低噪声放大器 砷化镓 毫米波 噪声系数 
C波段高增益低噪声放大器单片电路设计被引量：4
《微纳电子技术》2009年第7期437-440,445,共5页刘志军 高学邦 吴洪江 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB320200)
主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果。电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现。为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端产生的振荡,提出了在第三级PHEMT管的栅极和地之间放置...
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 C波段 低噪声放大器 微波单片集成电路 电磁仿真 
毫米波宽带多功能芯片研制被引量：1
《电子测量与仪器学报》2009年第S1期337-342,共6页吴亮 侯阳 李凌云 钱蓉 孙晓玮 
973计划(2009CB320207)
本文给出了一种运用Agilent ADS2008设计实现毫米波接收机前端多功能芯片研制方法。该款芯片实现了低噪声放大器与电阻型混频器的单片集成,芯片尺寸≤2.5mm×2.0mm×0.1mm。实际测试指标为:工作频率范围24GHz～40GHz,中频频率范围DC～1G...
关键词：毫米波 多功能MMIC芯片 接收机前端 低噪声放大器 电阻型混频器 AGILENT ADS2008 
8～18GHz微波低噪声放大器的设计与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第1期75-80,共6页董建明 王安国 何庆国 郭文椹 李振国 
国家重点基础研究发展规划项目(2007CB310605)资助
采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器,测试结果:在频率为8～18GHz的宽带内增益大于30dB,增益平坦度小于3dB,噪声系数小于2.0dB,输入输出驻波比小于2.5,1dB压缩点输出功率为15.8dBm。该放大器制作在氧化铝陶瓷基板上。
关键词：膺配高电子迁移率晶体管 平衡式结构 宽带低噪声放大器 兰格耦合器 
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