电流崩塌效应

作品数：16被引量：18H指数：2
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相关机构：中国科学院电子科技大学西安电子科技大学中国科学院微电子研究所更多>>
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一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型
《半导体技术》2022年第12期972-978,1026,共8页李静强 赵哲言 王生国 付兴中 魏碧华 
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT) 非线性模型 陷阱效应 电流崩塌效应 
应力条件下AlGaN／GaN HEMT电流崩塌效应研究
《半导体技术》2006年第3期173-175,179,共4页龙飞 杜江锋 罗谦 夏建新 杨谟华 
国家自然科学基金(60072004)
采用应力测试方法,获得了AlGaN／GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系。实验结果表明, 应力导致漏极电流崩塌56．2％;不同电压应力条件下,只要所加时间足够长和电压足够大,相同栅压的电流崩塌程度都近似相等;漏极电流恢复时间与大小分别...
关键词：电流崩塌效应 应力 高电子迁移率晶体管 表面态 
GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应被引量：3
《半导体技术》2005年第7期50-55,共6页张志国 杨瑞霞 李丽 李献杰 王勇 杨克武 
国家安全重大基础研究973资助项目(51327030201;51327030402)
从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法。列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各...
关键词：氮化镓 异质结场效应晶体管 极化效应 二维电子气 电流崩塌效应 
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