电流崩塌效应

作品数：16被引量：18H指数：2
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相关作者：张宝顺蔡勇于国浩李诚瞻刘新宇更多>>
相关机构：中国科学院电子科技大学西安电子科技大学中国科学院微电子研究所更多>>
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掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究
《电子器件》2007年第5期1532-1534,1538,共4页李诚瞻 刘键 刘新宇 刘果果 庞磊 陈晓娟 刘丹 姚小江 和致经 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB311903);中国科学院重点创新资助项目(KGCX2-SW-107)
对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著.这是因为对于掺杂AlGaN/Ga...
关键词：GAN HEMT 电流崩塌效应 掺杂 
栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究被引量：1
《电子器件》2007年第1期26-28,共3页龙飞 杜江锋 罗谦 靳翀 杨谟华 
国家自然科学基金资助项目(60072004)
源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按μnCoxW[α+(0.13+0.64f)VGS+(0.13+0.32f)VGS2](VGS-Vth)2/L的规律变化;脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小.基于...
关键词：电流崩塌效应 ALGAN/GAN HEMT 栅脉冲 表面态 
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