电流特性

作品数:320被引量:1553H指数:22
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  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
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外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性被引量:1
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1357-1359,共3页王立敏 曹俊诚 
国家自然科学基金(批准号:60425415;60721004);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB310402);上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助项目~~
外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移....
关键词:高电子迁移率晶体管 太赫兹场 磁场 响应率 
非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期113-116,共4页张振兴 谢二庆 潘孝军 贾璐 韩卫华 
采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104...
关键词:非晶 GAN 空间电荷限制电流 缺陷 
恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性被引量:3
《Journal of Semiconductors》2005年第5期999-1004,共6页王彦刚 许铭真 谭长华 段小蓉 
国家重点基础研究专项经费资助项目(批准号:TG2000 036503)~~
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软...
关键词:衬底电流 软击穿 超薄栅氧化层 威布尔分布 变频光泵效应 
掺杂单壁碳纳米管的电流特性被引量:1
《Journal of Semiconductors》2002年第5期499-504,共6页张振华 彭景翠 陈小华 王健雄 曾晓英 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 9972 0 31)~~
依据 Boltzm ann方程及单壁碳纳米管 ( SWNTs)能量色散关系 ,对单个掺杂 SWNTs(金属型和半导体型 )所加偏压、掺杂浓度及管口直径影响输运电流的性质进行数值计算 .分析表明 ,掺杂 SWNs中的电流随偏压变化呈现跃变结构 ;管口直径、掺杂...
关键词:单壁碳纳米管 BOLTZMANN方程 能量色散关系 输运通道 电子器件 掺杂 电流特性 
适用于大电流的SiGe基区HBT的电流和频率特性的解析模型被引量:2
《Journal of Semiconductors》1996年第11期822-829,共8页钱晓州 阮刚 
本文提出了一个适用于大电流的SiGe基区双极型晶体管(SiGe-HBT)的电流和频率特性的解析模型.本模型考虑了速度饱和效应,对n+pnn+双极型晶体管,当电流超过发生Kirk效应的临界电流时,本模型考虑了集电结附近...
关键词:双极型晶体管 电流特性 频率特性 大电流 
用光注入电流衰减测量绝缘膜中陷阱的俘获截面
《Journal of Semiconductors》1983年第4期383-388,共6页史常忻 顾为芳 
MOS结构中光注入时外电路电流特性与绝缘膜中陷阱俘获截面密切相关.本文给出了外电路电流的时间衰减关系.借此,可以方便地测量陷阱的俘获截面.该方法可以应用于非硅衬底的金属-绝缘膜-金属(MIM)结构中.
关键词:俘获截面 外电路 电流特性 绝缘膜 陷阱 
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