偏置条件

作品数：35被引量：58H指数：5
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相关机构：中国科学院新疆理化技术研究所新疆大学西安电子科技大学中国科学院研究生院更多>>
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不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应被引量：4
《微电子学》2011年第1期128-132,共5页李茂顺 余学峰 任迪远 郭旗 李豫东 高博 崔江维 兰博 费武雄 陈睿 赵云 
对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响。在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其...
关键词：静态随机存取存储器 总剂量辐照 偏置条件 
偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响被引量：5
《微电子学》2008年第2期166-169,173,共5页何玉娟 恩云飞 师谦 罗宏伟 章晓文 李斌 刘远 
国家重点实验室基金资助项目(9140C030604070C0304);国家重点实验室基金资助项目(9140C030601060C0302)
采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象。实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是...
关键词：X射线 总剂量辐射效应 辐射偏置 中带电压法 
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