电平位移

作品数：19被引量：40H指数：4
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相关作者：张波方健王卓乔明周泽坤更多>>
相关机构：电子科技大学松下电器产业株式会社成都博思微科技有限公司中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关期刊：《微电子学与计算机》《现代电子技术》《电子元器件应用》《世界电子元器件》更多>>
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一种高dV/dt噪声抑制的电平位移电路设计被引量：1
《微电子学》2023年第2期221-226,共6页尹勇生 朱守佳 杨悦 邓红辉 
安徽省重点研发计划(202104g01020008);安徽省协同创新项目(GXXT-2019-030)。
在半桥栅驱电路中,低压域PWM控制信号需要通过电平位移电路来转换成高边浮动电压域的PWM控制信号,从而打开或关断上桥臂功率管。浮动电源轨的快速浮动会带来dV/dt噪声,影响电平位移电路信号传输的可靠性。文章在电平位移电路中分别设计...
关键词：电平位移电路 栅极驱动 半桥驱动 dV/dt噪声抑制 
一种低功耗高稳态电平位移电路被引量：3
《微电子学》2020年第3期315-320,共6页王佳妮 周泽坤 李颂 石跃 王卓 张波 
国家自然科学基金资助项目(61674025,61306035);中央高校基础研究基金资助项目(ZYGX2016J056);"气象信息与信号处理"省高校重点实验室基金资助项目(QXXCSYS201504,QXXCSYS201603)。
提出了一种新型低功耗、高稳态电平位移电路。该电路能将5 V输入电压转换为10 V输出电压,在电路的初态和电平转换过程中均保持高稳态。采用瞬态增强结构,能加速电平信号之间的转换,有效地减小了传输延迟,提高了电路稳定性。瞬态增强结...
关键词：电平位移 瞬态增强 高稳态 低功耗 
基于1μm 600V BCD工艺的高压栅驱动电路被引量：2
《微电子学》2013年第4期484-487,共4页黎俐 方健 
国家重大科技02专项资助项目(2010ZX02201-003-002)
基于低压BCD工艺,与华润上华合作开发了1μm 600VBCD工艺平台,可以集成600V高压LDMOS和高压结终端。基于此工艺平台,设计了一种高压半桥栅驱动电路。该电路具有独立的低端和高端输入通道,内置长达1μs的死区时间,防止高低端同时导通。...
关键词：BCD工艺 高压栅驱动 电平位移 
同步降压DC-DC转换器驱动级设计被引量：3
《微电子学》2012年第2期187-190,194,共5页刘焱 龚志鹏 鲍小亮 周泽坤 张波 
提出一种输入电压为4.5～23V、输出电流可达3A的同步降压转换器的驱动级,内部集成了电平移位、死区时间控制及同步管反向电流限制等功能。设计了一种为内部逻辑供电的低压电源,使驱动级大部分可以由低压器件构成,与外部电源供电的驱动...
关键词：同步降压 DC-DC转换器 电平位移 死区时间 LDO 
带电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路被引量：2
《微电子学》2011年第2期207-210,共4页向莉 方健 黎育煌 
提出了一种带高压电平位移电路的H桥高端功率管栅极驱动电路。电平位移电路采用脉冲下拉方式实现高压电平位移,与一般的方波下拉方式相比,有效地减小了电路的功耗。分析了脉冲下拉方式电平位移电路的工作原理与实现方式,以此为基础,设计...
关键词：栅极驱动 电平位移 H桥 BCD工艺 高端功率管 
一种高共模抑制比恒定跨导运算放大器被引量：4
《微电子学》2007年第2期242-245,共4页朱莹 李丽 杨盛光 何书专 张川 
国家自然科学基金资助项目(90307011);江苏省高技术研究资助项目(BG2005030)
介绍了一种基于电平位移技术实现恒定跨导的CMOS Rail-to-Rail运算放大器。该电路克服了一般运算放大器输入共模范围小的特点,输入级引入了电平位移电路,使运放在各种输入共模电压下的跨导几乎恒定。在此基础上,设计了一种具有高共模抑...
关键词：恒定跨导 运算放大器 电平位移 共模抑制比 电源抑制比 
单路LDMOS实现的高压电平位移电路及其应用被引量：3
《微电子学》2007年第2期250-254,共5页武振宇 方健 乔明 李肇基 
提出了一种HVIC中高端浮动电路的新的实现方式,该方式采用单路LDMOS,实现了高压电平位移的功能。分析了该方式的电路结构和工作原理,以此为基础,设计了功率MOS栅驱动集成电路。在主要电学指标相近的情况下,与目前常用电路相比,版图面积...
关键词：高压集成电路 单路LDMOS 电平位移 功率MOS栅驱动集成电路 
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