汽相外延

作品数:43被引量:19H指数:3
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相关机构:中国科学院昆明物理研究所中国电子科技集团第十三研究所北京大学更多>>
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TDI量产2英寸GaN
《半导体信息》2006年第5期17-17,共1页陈裕权 
关键词:汽相外延 功率系统 批量生产 小型企业 激光二极管 GAN TDI 研究计划 导弹防御 
蓝宝石上生长GaN外延层的一种改良技术
《半导体信息》2006年第4期28-29,共2页陈裕权 
关键词:外延层 GaN MOCVD 改良技术 反应室 蓝宝石衬底 汽相外延 固体电子学 缓冲层 原子力显微镜 
TDI开发AlNSiC和InN材料
《半导体信息》2006年第3期19-19,共1页陈裕权 
关键词:AlNSiC INN TDI 外延层 晶格匹配 白光发光二极管 AlGaN 淀积 汽相外延 超高功率 
TDI公司的GaN外延片生产取得突破
《半导体信息》2006年第1期27-27,共1页陈裕权 
关键词:外延片 GAN TDI 汽相外延 外延材料 器件性能 关键构件 无线通信 调查分析 
用分子束外延法生长蓝光二极管
《半导体信息》2004年第5期19-19,共1页江兴 
据报道,夏普欧洲实验室科学家已用分子束外延生长世界首只蓝紫激光二极管。器件生长在蓝宝石基底上,是屋脊形波导InGaN多量子阱激光器,室温运转,输出波长为400nm。此有机金属汽相外延系统专为生长GaN器件设计。其主要优点是源材料消耗...
关键词:分子束外延法 脊形波导 输出波长 激光二极管 汽相外延 阈值电流 多量子阱 分子束外延生长 掺杂物 有机金属 
高品质GaN晶片生产新技术
《半导体信息》2003年第5期24-25,共2页陈裕权 
日本Hitachi Cable公司的研究人员开发出用来制备大尺寸独立式GaN晶片被称之为"空隙辅助分离"新技术。在以蓝宝石为衬底,MOVPE生长的GaN模板的TiN顶层膜上氢化物汽相外延生长一层厚GaN层,这种TiN膜为网孔状结构,网孔尺寸20~30nm。
关键词:汽相外延生长 GAN 独立式 真空蒸发 孔状 HITACHI 基板 网孔 外延层 弧秒 
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