电信应用

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TI发布业内首款80V半桥GaN FET模块
《半导体信息》2015年第2期8-9,共2页季建平 
近日,德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线(QFN)封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成,使之非常易于设计。全新的LMG5200GaN FET功率级原...
关键词:半桥 TI GAN FET 首款 功率级 场效应晶体管 电信应用 氮化镓 电源转换 栅极驱动 
TI推出NexFET N沟道功率MOSFET,可实现业界最低电阻
《半导体信息》2015年第1期2-3,共2页郑畅 
德州仪器(TI)推出其NexFET产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN封装的25-V CSD16570Q5B和30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET CSD1338...
关键词:TI 低电阻 同类竞争 导通电阻 电流条件 热插拔 电源转换效率 电信应用 负载开关 批量采购 
Vishay推出高功率密度、高系统效率的新款FRED Pt整流器
《半导体信息》2014年第5期15-15,共1页赵佶 
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出27个采用小尺寸、低高度SMPC(TO-277A)eSMP系列封装的新型4 A^10 A FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器。这些通过AEC-Q101认证的整流器具有极快和软恢复特性,以及低泄漏电流和低正向...
关键词:FRED PT VISHAY 反向电压 正向压降 电信应用 开关损耗 功率密度 泄漏电流 恢复特性 
混合硅准备取代磷化铟(InP)光子芯片
《半导体信息》2013年第5期18-19,共2页季建平 
2006年,美国加州大学(UCSB)和Intel公司的研究人员推出了世界上第一个电泵浦混合硅激光器。该器件利用了III-V族半导体的发光特性,并运用成熟的CMOS工艺在硅晶圆上制作激光器,从而为制造廉价的量产型硅制光学器件开启了大门。7年的时间...
关键词:光子集成 磷化铟 INP 激光源 光特性 光学器件 硅光子技术 硅晶圆 电信应用 混合集成电路 
欧洲项目推动功率微电子未来
《半导体信息》2013年第3期41-42,共2页郑冬冬 
LASTPOWER项目组公布了为期三年由欧盟资助的功率半导体项目开发成果。以研发高成本效益且高可靠性的功率电子技术为目标,涉及工业、汽车、消费电子、再生能源转换系统和电信应用。项目开发成果让欧洲挤身于世界高能效功率芯片研究商用...
关键词:开发成果 转换系统 电信应用 再生能源 意法半导体 外延层 偏轴 技术模块 肖特基二极管 工业生产线 
飞兆半导体功率级非对称双MOSFET器件满足电源设计人员的高功率密度和易于设计要求
《半导体信息》2011年第3期13-14,共2页郑冬冬 
电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战,而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中,上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战,全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild S...
关键词:飞兆半导体 功率密度 便携产品 功率级 非对称结构 负载点 电源设计 电信应用 笔记本电脑 降压转换器 
安森美半导体推出新的晶闸管浪涌保护器件系列
《半导体信息》2008年第1期34-34,共1页希雷 
关键词:安森美半导体 浪涌保护 晶闸管 过压保护 表面贴装 电子应用 能转移 电信应用 数字用户线路 浪涌电流 
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