全耗尽

作品数：92被引量：86H指数：5
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深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究
《固体电子学研究与进展》2008年第1期133-137,共5页高勇 冯松 杨媛 
西安-应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200514)
基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广。将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真...
关键词：深亚微米 绝缘体上硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 参数提取 
多晶硅双栅全耗尽SOI CMOS器件与电路被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第1期124-127,共4页连军 海潮和 
对多晶硅双栅全耗尽SO I CM O S工艺进行了研究,开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SO I CM O S器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。NM O S和PM O S的阈值电压绝对值比较接近,且关态漏电流很小,NM O S和PM O S的驱动电流分别为275...
关键词：绝缘体上硅 全耗尽 互补金属氧化物半导体 
关于SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET的新型解析模型
《固体电子学研究与进展》1993年第2期117-122,共6页周天舒 黄庆安 童勤义 
对SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET(FDBC NMOSFET)的器件结构及导电机理进行了深入研究,建立了明确的物理解析模型,推导出各种状态下器件工作电流的解析表达式。并将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。
关键词：SOI/SDB 隐埋N沟 场效应晶体管 
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