周天舒

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发文主题：MOSFET器件MOSFETSOI薄膜全耗尽复掺更多>>
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关于SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET的新型解析模型
《固体电子学研究与进展》1993年第2期117-122,共6页周天舒 黄庆安 童勤义 
对SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET(FDBC NMOSFET)的器件结构及导电机理进行了深入研究,建立了明确的物理解析模型,推导出各种状态下器件工作电流的解析表达式。并将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。
关键词：SOI/SDB 隐埋N沟 场效应晶体管 
SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋n-MOSFET导电机理研究
《微电子学》1992年第5期42-46,共5页周天舒 黄庆安 童勤义 
本文详细研究了SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋n沟 MOSFET的器件结构及导电机理,建立了明确的物理解析模型,给出了各种状态下器件工作电流的解析表达式。最后,将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。
关键词：薄膜 MOSFET器件 导电机理 
薄膜SOI器件研究与展望
《微电子学》1992年第3期39-43,67,共6页周天舒 黄庆安 童勤义 
本文详细地分析了薄膜SOI器件一系列有益的特性,如:较大的亚阈值陡度,扭曲(kink)效应的消除以及短沟道效应的削弱等。最后指出,薄膜SOI器件技术是今后设计制造新型亚微米器件及电路的一种有效的方法。
关键词：薄膜器件 SOI MOSFET 
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