云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 热载流子注入

热载流子注入: 作品数：42被引量：44H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：章晓文恩云飞唐逸任铮禹玥昀更多>>; 相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司信息产业部电子第五研究所中芯国际集成电路制造(北京)有限公司长江存储科技有限责任公司更多>>; 相关期刊：《集成电路应用》《合肥工业大学学报（自然科学版）》《电子器件》《物联网技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>

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CMOS器件热载流子注入老化的SPICE建模与仿真: 《半导体技术》2023年第10期902-910,共9页王正楠张昊李平梁; 为了准确预测芯片电路寿命,建立了一种能成功双向预测CMOS器件寿命和器件老化程度的可靠性模型。结合改进的衬底电流方程、漏源电流和时间变量t,组建了Age(t)模型。通过挑选合适的BSIM4模型参数,联合Age(t)方程构建指数函数关系式,建立...; 关键词：热载流子注入(HCI) 可靠性仿真老化模型模型参数提取 SPICE模型

高k介质金属栅器件热载流子测试及其失效机理: 《半导体技术》2020年第4期317-322,共6页周昊蔡小五郝峰赵永; 预研项目(31513040204)。; 高k介质金属栅工艺器件的热载流子注入(HCI)效应已经表现出与成熟工艺不同的退化现象和失效机理。对不同栅电压下n型和p型金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的饱和漏电流退化情况,以及器件的退化效应进行测试和分析。通过分析衬底电流和...; 关键词：栅电压热载流子注入(HCI) 饱和漏电流衰退老化机理

基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析被引量：4: 《半导体技术》2019年第7期531-536,共6页何玉娟刘远章晓文; 国家自然科学基金资助项目(61574048,61204112);广东省省级科技计划项目(2017B090921001,2018A050506044); 随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪...; 关键词：热载流子注入(HCI)效应低频噪声金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷氧化层陷阱电荷

双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响: 《半导体技术》2009年第3期247-250,共4页刘博王磊冯志刚王俊李文军程秀兰; 基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分...; 关键词：高压器件扩展漏端MOS 衬底电流热载流子注入

原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究被引量：3: 《半导体技术》2008年第9期803-806,共4页孙凌高超杨华岳; 介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究。通过电荷泵测试,对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研究。通过测试发现,提高生长温...; 关键词：原位水汽生长热载流子注入经时击穿

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