热载流子注入

作品数：42被引量：44H指数：4
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：章晓文恩云飞唐逸任铮禹玥昀更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司信息产业部电子第五研究所中芯国际集成电路制造(北京)有限公司长江存储科技有限责任公司更多>>
相关期刊：《集成电路应用》《合肥工业大学学报（自然科学版）》《电子器件》《物联网技术》更多>>
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LDD MOSFET热载流子退化分析及其寿命预测
《固体电子学研究与进展》2024年第4期351-356,共6页陈光前 刘伟景 刘先婷 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)。
集成电路器件密集化导致电场梯度增大和电流密度集中,加剧了热载流子效应,电热性能退化。本文聚焦热载流子注入(Hot carrier injection, HCI)效应对器件可靠性的影响问题,通过研究N型轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type lig...
关键词：可靠性 热载流子注入(HCI) 轻掺杂漏极(LDD) 器件退化 寿命预测 
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第5期384-388,共5页王保顺 崔江维 郑齐文 席善学 魏莹 雷琪琪 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11605282,11505282,11805268);中国科学青年创新促进会资助项目(2018473);中国科学院西部之光资助项目(2019-XBQNXZ-A-003)。
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器...
关键词：鳍式场效应晶体管 热载流子注入效应 总剂量效应 
热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响被引量：3
《固体电子学研究与进展》1994年第2期142-146,共5页赵策洲 董建荣 张德胜 史保华 
讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔ...
关键词：载流子注入 集成电路 结构 MOS 
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