子层

作品数:225被引量:257H指数:7
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:廖广兰史铁林丁桂甫罗乐徐高卫更多>>
相关机构:华灿光电(浙江)有限公司京东方科技集团股份有限公司江西兆驰半导体有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊:更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
基于不同衬底材料的TiO_(2)/Cu/Ag/TiO_(2)多层复合透明导电薄膜的制备与性能研究
《精密成形工程》2025年第3期188-197,共10页陶凯 丁海 张佳艺 李孟范 王玉丹 王吴鸽 郭晓茹 
河南省科技攻关项目(232102231016,242102311241);河南工学院博士科研基金(KQ1851)。
目的在不同衬底材料上磁控溅射沉积TiO_(2)/Cu/Ag/TiO_(2)多层复合透明导电薄膜并分析其微观结构和光电性能,以探讨衬底材料对复合薄膜性能的影响规律。方法选用纯度≥99.99%的TiO_(2)、Cu和Ag靶材,采用射频和直流溅射电源,在钙钠玻璃...
关键词:透明导电薄膜 多层结构 磁控溅射 介质层 种子层 
种子层厚度对电镀厚镍速率及形貌影响的研究
《电镀与精饰》2025年第2期9-16,共8页刘士琳 王凯 雷程 余建刚 王涛龙 路晶 李博 郭晋竹 梁庭 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB3208500);山西省科技重大专项计划“揭榜挂帅”资助项目(202201030201010);山西省重点研发计划资助项目(2023020302010);山西省基础研究计划资助项目(202103021223185&202203021222079)。
镍是最常用的SiC干法刻蚀掩膜,其质量会直接影响刻蚀效果。为了探索不同厚度种子层对碳化硅表面电镀厚镍掩膜的影响,基于电镀原理,采用磁控溅射沉积金属金作为电镀镍种子层,并采用直流电流分别在其表面电镀制备镍膜,使用台阶仪、原子力...
关键词:碳化硅 电镀镍 种子层 粗糙度 侧壁形貌 
不同子层厚度比AlCrBN/AlTiN多层涂层高速干式切削性能研究
《表面技术》2024年第24期144-153,215,共11页张奔驰 蔡飞 斯松华 薛海鹏 张世宏 
国家重点研发计划(2023YFB3812700);国家自然科学基金(52271047)。
目的通过改变AlCrBN/AlTiN多层涂层的子层厚度比,提高AlCrBN/AlTiN多层涂层的高速干式切削加工钛合金性能。方法使用电弧离子镀技术制备了不同子层厚度比(AlCrBN子层/AlTiN子层)的AlCrBN/AlTiN多层涂层。采用XRD衍射仪、扫描电镜(SEM)...
关键词:AlCrBN涂层 多层涂层 摩擦磨损 高速干式切削 
一种内压式中空纤维超滤膜及其制备方法和应用
《齐鲁石油化工》2024年第3期243-243,共1页
本发明公开了一种同时具有窄孔径分布的小孔结构分离层和双连续高度贯通孔结构子层的非对称内压式中空纤维聚合物超滤膜及其制备方法和应用。所述超滤膜包括增强体和复合在增强体外侧的聚合物层,其中所述聚合物层包括分离层和子层,所述...
关键词:聚合物层 分离层 中空纤维超滤膜 孔径分布 子层 贯通孔 方法和应用 双连续 
多层复合ZnS/Cu/Ag/ZnS透明导电薄膜的磁控溅射制备及性能研究
《河南工学院学报》2024年第4期13-19,共7页陶凯 李豫博 王煜昊 郭凯洋 李青萍 丁海 
河南省科技攻关项目(232102231016);河南工学院博士科研基金项目(KQ1851)。
采用磁控溅射法制备ZnS/Cu/Ag/ZnS多层复合透明导电薄膜,并对其微观结构和光电性能进行研究。选用纯度>99.99%的ZnS、Cu和Ag靶材,分别利用射频和直流溅射电源,在玻璃衬底上逐层溅射沉积了不同膜层参数的ZnS/Cu/Ag/ZnS结构薄膜。利用扫...
关键词:透明导电薄膜 多层结构 磁控溅射 介质层 种子层 
高深宽比硅孔溅射铜种子层工艺的探索与研究
《真空》2024年第4期1-5,共5页付学成 刘民 张笛 程秀兰 王英 
上海市科委项目(22501100800);上海交通大学决策咨询课题(JCZXSTA2022-02)。
硅通孔技术(TSV)是当前非常热门的高密度封装技术,但由于常规薄膜沉积技术很难在高深宽比的硅孔内沉积铜、钨等金属种子层,硅通孔技术中存在深硅孔金属化困难的工艺问题。通过对倾斜溅射时铜原子二维非对心碰撞前后入射角度的变化关系...
关键词:硅通孔技术 多靶共焦溅射 铜种子层 
基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法
《半导体技术》2024年第4期316-322,共7页田苗 刘民 林子涵 付学成 程秀兰 吴林晟 
上海市2022年度“科技创新行动计划”集成电路领域项目(22501100800);上海交通大学决策咨询课题资助项目(JCZXSJB-04)。
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。...
关键词:硅通孔(TSV) 锥形 种子层 电镀填充 薄膜沉积 
基于随机量子层的变分量子卷积神经网络鲁棒性研究被引量:1
《信息网络安全》2024年第3期363-373,共11页戚晗 王敬童 ABDULLAH Gani 拱长青 
辽宁省教育厅科研基金[LJKZ0208];沈阳航空航天大学高级人才科研基金[18YB06]。
近年来,量子机器学习被证明与经典机器学习一样会被一个精心设计的微小扰动干扰从而造成识别准确率严重下降。目前增加模型对抗鲁棒性的方法主要有模型优化、数据优化和对抗训练。文章从模型优化角度出发,提出了一种新的方法,旨在通过...
关键词:随机量子电路 量子机器学习 对抗性攻击 变分量子线路 
范德瓦耳斯体系中的量子层电子学
《物理学报》2023年第23期56-61,共6页肖聪 姚望 
香港特别行政区研究资助局(批准号:AoE/P-701/20,HKU SRFS2122-7S05);香港裘槎基金会和国家重点研发计划(批准号:2020FA0309600)资助的课题。
范德瓦耳斯体系中层间耦合的存在使电子波函数扩展分布在各层上,使得空间离散的层自由度成为量子力学自由度.层自由度与电子质心自由度的耦合塑造了动量空间中非平庸的层赝自旋结构,导致丰富的量子几何性质.这些性质为晶格失配的范德瓦...
关键词:量子层电子学 范德瓦耳斯体系 量子几何 
电偶腐蚀对先进封装铜蚀刻工艺的影响
《电子与封装》2023年第11期32-38,共7页高晓义 陈益钢 
在先进封装的铜种子层湿法蚀刻工艺中,电镀铜镀层的蚀刻存在各向异性的现象。研究结果表明,在磷酸、双氧水的蚀刻液体系中,因电偶腐蚀造成的凸点电镀铜蚀刻量约为铜种子层蚀刻量的4.9倍。通过分析凸点上锡、镍镀层的能谱数据及蚀刻效果...
关键词:种子层 先进封装 铜蚀刻 电偶腐蚀 凸点 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部