自热效应

作品数：92被引量：238H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张玉明郝跃张义门赵毅吕红亮更多>>
相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响
《Journal of Semiconductors》2008年第2期334-337,共4页吕红亮 张义门 张玉明 车勇 王悦湖 
国家自然科学基金(批准号:60606022);应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200702)资助项目~~
针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材料的温度特性分析了温度升高对器件特性的影响.分析了陷阱对器件特性的影响,并进一步阐明了陷落-发射机制...
关键词：SIC MESFET 自热效应 深能级陷阱 
高散热变k介质埋层SOI高压功率器件
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1832-1837,共6页罗小蓉 李肇基 张波 
国家自然科学基金(批准号:60436030);模拟IC国家重点实验室基金(批准号:9140C0903050605)资助项目~~
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题,提出了变k介质埋层SOI(variablekdielectricburiedlayerSOI,VkDSOI)高压功率器件新结构.该结构在高电场的漏端采用低k介质以增强埋层电场,在高电流密度的源端附近采用高热导率的氮化...
关键词：SOI 低k介质埋层 纵向电场 击穿电压 自热效应 
部分局域电荷槽SOI高压器件新结构被引量：4
《Journal of Semiconductors》2006年第1期115-120,共6页罗小蓉 张波 李肇基 唐新伟 
国家自然科学基金重点资助项目(批准号:60436030)~~
提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3ESi,C升高到接近Si O2的临界击穿电场ESi O2,C;另外,硅窗口将耗尽层引...
关键词：电荷槽 界面电荷 自热效应 纵向电场 击穿电压 
埋空隙PSOI结构的耐压分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1818-1822,共5页段宝兴 张波 李肇基 罗小蓉 
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布.在相同击...
关键词：RESURF结构 APSOI 自热效应 表面电场 击穿电压 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部