微米工艺

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大唐微电子自主研发高安全双界面安全芯片
《集成电路应用》2015年第3期16-16,共1页赛迪 
大唐半导体旗下大唐微电子自主研发的高安全双界面安全芯片DMT-CBS-AB4C获得＂第九届（2014年度）中国半导体创新产品和技术奖＂。该奖项由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会与中国电子报社共同评选...
关键词：安全芯片 自主研发 中国电子专用设备工业协会 微电子 双界面 0.13微米工艺 创新产品 行业协会 
灿芯半导体USB2．0 OTGPHY通过USB－IF认证
《集成电路应用》2013年第5期44-44,共1页
灿芯半导体（上海）有限公司近日宣布其基于中芯国际0．11微米工艺平台开发的USB2．0物理层设计（PHY）USB—IF的高速产品测试程序，并取得了USB—IF的高速产品商标。该USB2．0物理层设计同时支持器件和主机应用的On．The—Go（OTG）规...
关键词：USB2 0 USB-IF 半导体 0 11微米工艺 应用程序接口 认证 移动手持设备 产品商标 
坤锐电子UHF RFID芯片通过EPCglobal认证
《集成电路应用》2008年第8期11-11,共1页
上海坤锐电子科技有限公司近日宣布，其自主研发的UHF RFID芯片产品QR2233成功通过EPCglobal授权认证，将于今年Q4开始发货。据悉，这是全球首款容量达到2K bits的EPC CI Gen2单芯片RFID．也是国内第一款采用中芯国际0．18微米工艺量产...
关键词：EPCGLOBAL RFID芯片 电子科技 UHF 认证 0.18微米工艺 中国物品编码中心 芯片产品 
工艺制造
《集成电路应用》2007年第5期12-12,14,共2页
中芯国际上海12英寸生产线6月装机；茂德获准在大陆投建采用0．18微米工艺晶圆厂；BCD采用先进BiCMOS工艺生产单路低电压运算放大器；华虹NEC获Cypress 0．13微米NVM工艺授权；
关键词：工艺制造 0.18微米工艺 BICMOS工艺 CYPRESS 运算放大器 生产线 低电压 BCD 
突破深亚微米工艺下成品率提升障碍——第二届成品率提升技术研讨会
《集成电路应用》2006年第7期20-21,共2页
2006年5月25日，由《半导体国际》主办的第二届成品率技术研讨会圆满召开，来自中国本土主要的晶圆制造商和国际知名设备材料厂商的工程师、经理人和专家参加了会议，共同探讨和交流了深亚微米时代，成品率提升面临的种种问题和相应的...
关键词：深亚微米工艺 技术研讨会 成品率 第二届 《半导体国际》 设备材料 工程师 制造商 经理人 晶圆 
中芯:已进口65纳米设备明年量产
《集成电路应用》2005年第10期18-19,共2页
当台湾半导体产业还在向当局力争开放0．18微米工艺在内地生产时，中芯国际CEO24日在上海又公布了工艺研发新计划：中芯已经进口12寸晶圆厂65纳米工艺设备，并展开研发，希望明年底前可推出65纳米工艺。
关键词：纳米设备 进口 0.18微米工艺 半导体产业 12寸晶圆 工艺设备 纳米工艺 研发 
华虹NEC0.18微米CMOS工艺选用Artisan的IP解决方案
《集成电路应用》2005年第1期71-71,共1页
世界一流的IP提供商-Artisan元件有限公司(ARTI)和中国一流的半导体代工厂——上海华虹NEC电子有限公司(HHNEC)日前共同宣布了一项有关Artisan支持HHNEC公司先进的0．18微米CMOS工艺授权协议。这项协议预示了HHNEC扩大其全球IC制造商形...
关键词：华虹NEC公司 CMOS Artisan公司 IP 0.18微米工艺 
联电与Synopsys携手开发0．13微米参考设计流程
《集成电路应用》2004年第6期26-27,共2页
关键词：联电公司 Synopsys公司 0.13微米工艺 参考设计流程 
和舰科技（苏州）有限公司正式投产
《集成电路应用》2003年第7期11-11,共1页
关键词：和舰科技有限公司 晶圆制造 微米工艺 逻辑工艺 混合模式工艺 高压工艺 
Hynix具备0．10微米工艺量产技术
《集成电路应用》2003年第7期15-15,共1页
关键词：海力士半导体公司 0.10微米工艺 量产技术 DDR400 
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