稀磁半导体薄膜

作品数：15被引量：33H指数：4
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：刘学超施尔畏卢凤双张敬霖张建生更多>>
相关机构：中国科学院天津理工大学河北师范大学清华大学更多>>
相关期刊：《硅酸盐学报》《Journal of Semiconductors》《功能材料》《电子元件与材料》更多>>
相关基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金博士科研启动基金更多>>
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退火温度对Co掺杂CeO_2稀磁氧化物薄膜的结构和铁磁性能的影响
《人工晶体学报》2017年第3期398-403,共6页阳生红 张曰理 
国家自然科学基金(61176010;61172027)
采用溶胶-凝胶法,在Si(100)和石英玻璃衬底上制备了3%Co掺杂CeO_2稀磁氧化物薄膜,研究了不同退火温度(500℃,600℃和700℃)对薄膜结构和铁磁性能的影响。XRD和拉曼光谱结果表明,随着退火温度的升高,薄膜晶化度明显提高。不同退火温度下...
关键词：溶胶-凝胶法 Ce0.97Co0.03O2 稀磁半导体薄膜 铁磁性 
Fe/Sn共掺杂In_2O_3稀磁半导体薄膜的磁性和输运性质
《功能材料》2017年第3期3159-3162,3167,共5页仝瑞雪 周国伟 马文睿 江凤仙 
国家青年科学基金资助项目(61204097);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20121404120003)
采用脉冲激光沉积方法在Al_2O_3衬底上制备了Fe/Sn共掺杂的(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜,研究了沉积过程的氧气分压对薄膜结构、磁性和输运性质的影响,以揭示其铁磁性来源和机制。(In_(0.93)Fe_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜为...
关键词：脉冲激光沉积 稀磁半导体 In2O3薄膜 掺杂 磁性 
Mn掺杂SiC基稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究
《表面技术》2015年第7期45-49,共5页孙现科 周小东 周思华 王少辉 蒋卫华 孙春梅 
国家自然科学基金资助项目(11405280);河南省教育厅科学技术研究重点项目(14B140021);周口师范学院博士科研启动经费资助项目(zksybscx201210)~~
目的从原子水平探究Mn掺杂SiC薄膜的磁性起源。方法采用射频磁控溅射技术制备不同掺杂浓度的Mn掺杂SiC薄膜,并采用X射线衍射技术、X光电子能谱、同步辐射X射线近边吸收精细结构技术、物理性质测试系统对薄膜的结构、组分和磁性能进行研...
关键词：磁控溅射 SIC MN掺杂 铁磁性 缺陷 
F原子吸附TiO_2:Mn(001)稀磁半导体薄膜电子结构和磁性的第一性原理计算被引量：5
《计算物理》2014年第1期96-102,共7页李祥然 李丹 王春雷 牛原 赵红敏 梁春军 
中央高校基本科研业务费专项资金(2011JBZ013;2009JBM105;2009JBZ019);国家国际科技合作专项(21174016)资助项目
利用第一性原理方法计算Mn离子掺杂纯净TiO2(001)和F原子吸附的TiO2(001)薄膜的形成能、态密度和磁矩.F原子吸附明显降低TiO2∶Mn薄膜体系的形成能.F原子的吸附导致Mn离子的磁矩减小,而表面O原子的磁矩增大.表面O原子的磁矩主要来源于O...
关键词：第一性原理计算 稀磁半导体 TiO2(001) 自旋极化 态密度 
Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性被引量：2
《光电子．激光》2011年第7期1038-1041,共4页李响 安玉凯 肖庆 段岭申 吴忠华 刘技文 
国家自然科学基金资助项目(10904110,60476003);天津市自然科学基金资助项目(10JCYBJC01600);天津市高等学校科技发展基金资助项目(20060902)
采用射频磁控溅射法制备了不同Co掺杂浓度的SiC薄膜。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Hall以及电阻率-温度(-ρT)曲线测试结果表明,Co掺杂SiC薄膜具有4H-SiC(100)晶体结构和典型的半导体导电特征,未发现Co金属团簇以及其它CoSi...
关键词：SIC 稀磁半导体(DMS) CO掺杂 铁磁性 
不同退火温度下Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜的磁性研究
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2011年第1期91-92,112,共3页刘永刚 杨东洋 
通过对磁控溅射方法制备的Zn_(0.96)Co_(0.04)O薄膜退火前后结构和磁性的研究发现,Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置,形成稀磁半导体结构,显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位,提高BMP之间发生交叠的几率,从而使磁矩...
关键词：Zno.96Coo.040稀磁半导体薄膜高温退火磁性 
Al-N共掺杂ZnO:Mn稀磁半导体薄膜的结构与性能
《电子元件与材料》2010年第6期14-17,共4页赵德友 徐光亮 刘桂香 彭龙 
四川省教育厅重点资助项目(No.08ZA009);西南科技大学博士基金资助项目(No.08ZX0102)
采用反应磁控溅射法在室温下沉积前驱体氮化物,在大气环境、500℃下氧化退火30min后获得了Al-N共掺杂ZnO:Mn薄膜。研究了直流与射频反应磁控溅射对氧化退火薄膜结构和性能的影响。结果表明:两种工艺制备的退火薄膜均具有ZnO纤锌矿结构,...
关键词：ZNO 稀磁半导体 磁控溅射 Al-N共掺杂 
退火气氛对钴掺杂氧化锌稀磁半导体薄膜性能的影响(英文)被引量：2
《硅酸盐学报》2009年第9期1560-1565,共6页张磊 徐光亮 魏贤华 刘桂香 赵德友 彭龙 
西南科技大学博士基金(082X0102);四川省教育厅重点(08ZA009)资助项目
用溶胶–凝胶法制备的钴掺杂氧化锌薄膜在不同气氛下退火后均显示室温铁磁性,并且具有不同的载流子浓度。通过对薄膜进行电、磁、光性能及微结构的系统表征,建立了磁性能与载流子浓度之间的关联。研究表明:在氧气和氧氮混合气氛以及氧...
关键词：氧化锌 溶胶–凝胶法 室温铁磁性 退火气氛 
单晶和孪晶的Zn_(0.96)Co_(0.04)O稀磁半导体薄膜的制备与研究被引量：4
《物理学报》2009年第12期8467-8472,共6页路忠林 邹文琴 徐明祥 张凤鸣 
国家自然科学基金(批准号:10804017);江苏省自然科学基金(批准号:BK2007118);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20070286037);江苏省"青蓝工程"(批准号:1107020060);江苏省"六大人才高峰"计划(批准号:1107020070);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0452)资助的课题~~
采用分子束外延技术分别在不同晶面的蓝宝石(sapphire Al2O3)基片上制备了沿c轴生长的Zn0.96Co0.04O稀磁半导体薄膜.发现在Al2O3(1120)晶面(a面)上薄膜是二维层状外延生长的高质量单晶薄膜,而在Al2O3(0001)晶面(c面)上薄膜却具有有趣的...
关键词：Co掺杂ZnO 稀磁半导体 X射线吸收精细结构 单晶和孪晶薄膜 
Mn和N共掺ZnO稀磁半导体薄膜的研究被引量：8
《物理学报》2009年第8期5763-5767,共5页邹文琴 路忠林 王申 刘圆 陆路 郦莉 张凤鸣 都有为 
国家自然科学基金(批准号:10804017,50802041);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号: NCET-05-0452)资助的课题~~
使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下,ZnO:Mn薄膜的铁磁性非常微弱;如果进行N离子的共掺杂,就会发现ZnO:Mn薄膜在室温下表现出非常明显的铁磁性,饱和离子磁矩为0.2...
关键词：磁性半导体 受主掺杂 空穴媒介的铁磁性 
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