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作品数：746被引量：1448H指数：14
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X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2023年第9期805-811,共7页李远鹏 魏洪涛 刘会东 
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 限幅器 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 负反馈 
具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计被引量：2
《半导体技术》2022年第6期493-497,共5页余巨臣 彭龙新 刘昊 凌志健 贾晨阳 闫俊达 刘飞 
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比...
关键词：滤波器 限幅器 低噪声放大器(LNA) 电流复用技术 单片微波集成电路(MMIC) 
4×5Gbit/s VCSEL阵列驱动集成电路被引量：2
《半导体技术》2020年第2期110-115,共6页陈强军 赵聪 郭迪 孙向明 
国家自然科学基金面上项目(11875145).
基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片。该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模转换器(DAC)电路等。输出级驱动电路将LA输出的电压信号转...
关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动 集成电路 限幅放大器(LA) 有源电感峰化 前馈电容补偿技术 带宽拓展 
基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计被引量：2
《半导体技术》2019年第2期87-93,共7页李硕 何进 陈婷 薛喆 王豪 常胜 黄启俊 魏恒 
国家自然科学基金资助项目(61774113;61574102;61404094);中央高校基本科研资助项目(2042014kf0238);中央高校基本科研业务费专项资金(重大培育项目)资助项目(2042017gf0052);中国博士后科学基金资助项目(2012T50688)
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一款传输速率为25 Gbit/s的高速光接收机前端电路。前端电路主要包括跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)、直流偏移消除电路和输出缓冲级4部分。跨阻放大器采用了伪差分结构,相比于传统的单端转...
关键词：光接收机 25 Gbit/s 跨阻放大器(TIA) 限幅放大器(LA) 直流偏移消除 
S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器设计被引量：3
《半导体技术》2015年第10期749-753,共5页孔令甲 要志宏 高长征 陈书宾 
结合混合微波集成电路（HMIC）工艺和砷化镓单片微波集成电路（MMIC）工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,...
关键词：砷化镓单片集成电路 低噪声放大器 混合微波集成限幅器 外部匹配 平衡式结构 大功率 
S波段平衡式限幅放大器设计被引量：5
《半导体技术》2014年第2期98-102,共5页邓刚 要志宏 陈书宾 苏彦文 
采用混合集成电路工艺，设计了一款小尺寸限幅低噪声放大器（LNA）。优化了限幅电路设计，明显缩小了电路，本积。低噪声放大器采用负反馈结构，以改善增益平坦度。采用平衡式结构，提高限幅器的功率容量和放大器的1dB压缩点输出功率（P...
关键词：小型化 平衡式结构 限幅器 低噪声放大器(LNA) 混合集成 
C波段限幅开关集成芯片被引量：3
《半导体技术》2011年第7期542-544,561,共4页魏洪涛 王强栋 李用兵 
采用GaAs p-i-n二极管单片集成工艺技术研制出C波段限幅开关集成芯片,该芯片集成了微波限幅器和单刀单掷(SPST)开关功能,尺寸仅为2.5 mm×1.0 mm。采用偏置相关S参数测试法建立可定标的p-i-n二极管器件模型,精准的器件模型保证集成芯片...
关键词：砷化镓 P-I-N二极管 限幅器 开关 集成芯片 
一种改进型的高功率限幅器被引量：6
《半导体技术》2011年第5期393-396,共4页陈志宏 杨大宝 
通过对pin限幅器的工作原理进行理论分析,引入了微波功率限幅器功率容量的计算方法,并以此为基础进行了微波功率限幅器设计。这里讨论了一种实用的高功率限幅器,它采用多个限幅二极管并联的方式,有效提高了限幅器的抗烧毁特性,从而提高...
关键词：高功率 限幅器 并联 功率耦合器 承受功率电平 
宽带限幅放大器的研制被引量：1
《半导体技术》2010年第10期1028-1030,1038,共4页刘成鹏 刘英坤 贾长友 
从双极型晶体管Gummel-Poon模型出发,综合考虑晶体管的器件结构、工作状态和参数提取条件等完成参数提取,运用优化算法对提取参数进行局部和全局优化,给出了得到的GP模型参数值。以此为基础采用差分放大电路形式,完成限幅放大器电路结...
关键词：限幅放大器 GP模型 差分放大器 限幅特性 
2.45GHz电子射频标签模拟前端芯片的研制
《半导体技术》2009年第6期607-610,614,共5页李远鹏 吴洪江 默立冬 
分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分。采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采...
关键词：射频标签 整流器 稳压源 限幅 ESD电路 静态工作电流 
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