相噪

作品数：411被引量：545H指数：9
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基于InGaP/GaAs HBT工艺X波段低相噪压控振荡器被引量：1
《半导体技术》2016年第6期421-424,共4页陈君涛 李世峰 
基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺设计了一款X波段低相噪单片集成压控振荡器（VCO）,该VCO采用Colpitts双推（push-push）电路结构,芯片上集成了负阻振荡电路、分布式谐振器、变容二极管和耦合输出电路。通过优化HBT器件尺寸...
关键词：InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT) 压控振荡器(VCO) 双推(push-push)电路 负阻 相位噪声 
基于超谐波注入锁定的低相噪QVCO的设计被引量：2
《半导体技术》2015年第3期182-187,204,共7页许亚兰 江金光 刘江华 
国家自然科学基金资助项目(41274047);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012639)
对基于注入锁定的正交压控振荡器(QVCO)电路进行了研究和分析,设计了一个低相位噪声、低相位误差的QVCO电路,该电路由两个电感电容压控振荡器(LC VCO)在正交相位进行超谐波耦合,通过一个频率倍增器在交叉耦合对的共模信号点注入同步信...
关键词：正交压控振荡器(QVCO) 注入锁定 倍频器 相位误差 相位噪声 
小型化低相噪FBAR压控振荡器的研制
《半导体技术》2014年第5期347-351,共5页袁彪 郭文胜 
利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器。将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路(MMIC)中,振荡管基极接薄膜电感形成负阻,发射极通过键...
关键词：小型化 低相位噪声 单片微波集成电路(MMIC) 薄膜声体波谐振器(FBAR) 压控振荡器(VCO) 
低相噪抗振动温补晶振的研制被引量：1
《半导体技术》2013年第4期263-267,共5页孙敏 黎敏强 陈中平 王占奎 
为满足通信系统对振动环境下相位噪声提出的更为严格的要求,提出了一种低相噪、抗振动温补晶振的设计方法。分析了影响温补晶振静态相位噪声的因素,通过ADS仿真对电路参数进行优化,实现了低的静态相位噪声。介绍了振动状态下晶体振荡器...
关键词：温补晶振 有限元分析 相位噪声 随机振动 仿真 
Ku波段低相噪推-推式VCO单片集成电路
《半导体技术》2012年第6期433-436,共4页汪江涛 
基于InGaP-GaAs HBT工艺设计了一款Ku波段推-推式压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC)。采用改进的虚地反馈法对基本振荡单元的奇偶模进行了分析,用谐波平衡法对相位噪声和输出功率进行了优化设计。用ADS软件完成了原理图和电磁场仿...
关键词：推-推式压控搌荡器 奇偶模 微波单片集成电路 相位噪声 S参数 
低相噪锁相介质振荡器研究被引量：2
《半导体技术》2010年第11期1126-1129,共4页宋学峰 何庆国 
针对高的相位噪声指标要求,对取样锁相介质振荡器进行了研究。通过相位噪声分析,明晰了采用介质振荡器与取样锁相技术降低相位噪声的机理,并分别对介质振荡器与锁相环路进行了设计。设计中,应用HFSS与ADS对介质振荡器进行了联合仿真,体...
关键词：相位噪声 介质振荡器 取样锁相环 联合仿真 计算机辅助设计 
低相噪毫米波源的研制被引量：5
《半导体技术》2009年第9期927-929,共3页袁慧超 高燕宇 
介绍了一种毫米波低相噪源的设计方法,采用PDRO和倍频电路方案,对本微波源的相位噪声和频率稳定度进行了分析,并简要介绍了PDRO的设计,对研制成的实物进行了测试,达到了设计要求的指标。该毫米波源的相位噪声≤-95dBc/Hz@10kHz,频率稳...
关键词：毫米波 相位噪声 取样锁相 介质压控振荡器 本振源 
集成宽带VCO的低相噪设计被引量：2
《半导体技术》2009年第8期803-806,共4页姚立华 郭文胜 
从VCO的相位噪声概念及原理分析入手,论述了集成宽带压控振荡器低相噪的设计方法和设计思路,进行了理论分析和数学模拟,并通过利用相关软件进行仿真、优化设计。获得了低相噪声的宽带振荡器,并给出了各频段集成宽带VCO最终达到的相位噪...
关键词：集成宽带压控振荡器 相位噪声 仿真 宽带振荡器 优化设计 
L波段宽带低相噪VCO的设计与制作被引量：2
《半导体技术》2008年第12期1130-1132,共3页陈君涛 要志宏 
提出了一种基于PCB工艺的L波段宽带低相噪VCO电路拓扑结构。采用基极和发射极双端调谐的方式,并引入可变电容反馈,实现了电路的超宽带。同时在低损耗的FR4基板上制作微带小电感以形成高Q谐振器,降低了VCO的相位噪声。基于此方法设计得到...
关键词：压控振荡器 相位噪声 宽带 
Ku波段低相噪锁相介质振荡器被引量：3
《半导体技术》2008年第7期622-625,共4页宋红江 尹哲 
应用取样锁相技术对Ku波段低相噪锁相介质振荡器进行了研究,对取样锁相技术的工作原理和电路特性进行了分析,阐述了取样锁相环路的设计过程。对制成的实物进行了测试和调试,取得了预期的相位噪声指标。实验结果表明,该取样锁相源的频率...
关键词：相位噪声 锁相 介质谐振器 微波 本振源 
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