小信号等效电路

作品数：55被引量：78H指数：5
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3 nm环栅场效应管射频小信号等效电路模型
《微电子学》2021年第4期557-562,共6页高恒斌 孙亚宾 胡少坚 尚恩明 刘赟 李小进 石艳玲 
国家自然科学基金资助项目(61704056,61974056);上海市自然科学基金资助项目(19ZR1471300);上海自然科学创新研究计划资助项目(19511131900)。
针对3 nm环栅场效应晶体管,提出了一种射频小信号等效电路模型及基于有理函数拟合的解析模型参数提取方法。首先,在关态条件下提取不受偏置影响的非本征栅/源/漏极电阻、栅到源/漏电容、衬底电容和电阻。然后,在不同偏置条件下提取受偏...
关键词：环栅器件 小信号等效电路 参数提取 射频IC 
SiGe HBT小信号等效电路的参数直接提取被引量：5
《微电子学》2009年第3期434-437,共4页温佐阳 王军 
提出了一种求解硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效电路模型的参数直接提取方法。整个提取过程使用由小信号等效电路推导出的一系列解析表达式,不使用任何数值优化方法。参数提取结果使用ADS软件仿真验证。结果表明,该方法简...
关键词：SIGE HBT 小信号模型 参数提取 
基于小信号等效电路模型的SiGe HBT高频特性模拟分析被引量：5
《微电子学》2005年第1期1-4,共4页杨维明 陈建新 史辰 李振国 高铭洁 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
给出了fT为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理 论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据 电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;...
关键词：锗硅合金 异质结双极晶体管 电路模型 模拟 
采用目标函数计算GaAsMESFET小信号等效电路的新方法被引量：1
《微电子学》2000年第1期35-38,共4页顾聪 高一凡 
提出了一种计算GaAsMESFET器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算,且作为非本征元件的函数。等效电路由集中元件构成,在整个测量频率范围内适用。非本征元件可以作为优化标准本征元件的方差,构成目标函数,...
关键词：MESFET 微波功率管 目标函数 砷化镓 等效电路 
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