绿光LED

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GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率
《半导体技术》2016年第1期51-56,62,共7页张李骊 刘战辉 钟霞 修向前 张荣 谢自力 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(21203098)
详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米...
关键词：绿光发光二极管(LED) 镓掺杂氧化锌(GaZnO)薄膜 发光效率 透明导电层(TCL) 多量子阱(MQW) 
一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
《半导体技术》2008年第S1期235-237,共3页卫静婷 张佰君 刘扬 范冰丰 招瑜 罗睿宏 冼钰伦 王钢 
国家"863"高技术项目(2006AA03A129);广东省科技项目(2007A010501007;2007A010500011)
为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通...
关键词：硅衬底 通孔 垂直结构LED 电流扩展 绿光LED N电极 
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