埋沟MOSFET

作品数：5被引量：4H指数：1
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耗尽型4H-SiC埋沟MOSFET器件解析模型研究被引量：1
《微电子学》2010年第2期283-286,290,共5页王巍 秘俊杰 曾勇 王晓磊 唐政维 彭能 
重庆市自然科学基金资助项目(2006BB2364)
建立了基于漂移扩散理论的4H-SiC埋沟MOSFET器件的物理解析模型。SiC/SiO_2界面处的界面态密度及各种散射机制都会导致器件载流子迁移率的下降,采用平均迁移率模型,分析散射机制对载流子迁移率的影响,讨论了界面态对阈值电压的影响。考...
关键词：SIC 埋沟MOSFET 界面态 平均迁移率 
6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究被引量：1
《微电子学》2009年第1期124-127,140,共5页王巍 王玉青 申君君 唐政维 秘俊杰 
重庆市科委自然科学基金资助项目(CSTC2006BB2364)
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响。对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度...
关键词：碳化硅 埋沟MOSFET C—V特性 界面态 
6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究被引量：2
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》2009年第1期74-77,共4页王玉青 王巍 申君君 
重庆市科委自然科学基金项目(CSTC;2006BB2364)
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系。在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型。由于在假设界面态...
关键词：SIC 埋沟MOSFET C—V特性 界面态 
基于平均迁移率模型的SiC埋沟MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第2期170-175,共6页郜锦侠 张义门 张玉明 夏杰 
国家自然科学基金(60276047)
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系。计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,...
关键词：碳化硅 隐埋沟道 金属氧化物半导体场效应晶体管 平均迁移率模型 伏安特性 
增强型4H-SiC埋沟MOSFET的工作机理
《电子质量》2004年第9期62-63,共2页赵艳英 杨晓菲 
本文对一种新型增强型4H-SiC埋沟MOSFET结构的工作机理进行了研究。通过对不同偏压下电荷分 布和电势分布的分析,分别总结了线性区和饱和区所包含的工作模式。
关键词：4H-SIC MOSFET 增强型 线性区 工作机理 饱和区 偏压 电荷分布 电势分布 
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