纳米管

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碳纳米管场效应晶体管的X射线辐照效应
《物理学报》2025年第5期267-274,共8页曾天祥 李济芳 郭红霞 马武英 雷志锋 钟向丽 张鸿 王颂文 
国家自然科学基金(批准号:12275230,12027813)资助的课题.
本文针对N型和P型碳纳米管场效应晶体管(carbon nanotube field-effect transistor,CNTFET)开展了10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,不同类型的晶体管在辐照后均出现阈值电压漂移、跨导下降、亚阈值摆幅上升和饱和电流下降的现象...
关键词：碳纳米管场效应晶体管 X 射线辐照 总剂量效应 
基于碳纳米管冷阴极的带状注栅控电子枪
《微波学报》2025年第1期70-75,共6页黄博文 王少哲 陈旭媛 柳建龙 袁学松 吕志方 巩华荣 宫玉彬 段兆云 
国家自然科学基金(62131006,62371108)。
碳纳米管冷阴极具有良好的场致发射特性,在行波管的电子枪中具有潜在的应用前景。文中基于场致发射理论,研究了一支适用于G波段行波管的碳纳米管冷阴极带状注栅控电子枪。该电子枪由阴极、阴影栅、控制栅、聚焦极和阳极组成。阴极发射...
关键词：碳纳米管 控制栅 带状注 电子枪 
碳纳米管射频晶体管及放大器电路研究
《固体电子学研究与进展》2025年第1期22-27,共6页赵亮 杨扬 霍帅 张勇 陆辉 汪珍胜 钟世昌 唐世军 孔月婵 陈堂胜 
基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三...
关键词：碳纳米管 射频 放大器 
碳纳米管在集成电路中的未来应用
《石油炼制与化工》2024年第12期65-65,共1页燕春晖(摘译) 
在集成电路领域,追求更高的集成密度和更低的功耗已成为行业的主要趋势。然而传统硅基半导体材料已接近其物理极限,因此寻找新的替代材料变得尤为重要。碳纳米管(CNTs),尤其是有序碳纳米管(A-CNTs),因其卓越的电学和机械性能,被视为未...
关键词：场效应晶体管 集成电路 集成密度 物理极限 未来应用 研究团队 机械性能 
碳基射频电子器件研究进展
《固体电子学研究与进展》2024年第6期469-486,共18页潘梓澎 丁力 
国家自然基金资助项目(62171004);国家重点研发计划资助项目(2022YFB4401603)。
碳作为自然界中含量丰富的元素,其多样的同素异形体促进着社会科技不断发展。特别在半导体领域,金刚石、石墨烯以及碳纳米管凭借其超高的载流子迁移率和独特的能带结构,在高频、高功率甚至电力电子等方面有着巨大应用前景。本文综述了...
关键词：碳基材料 金刚石 石墨烯 碳纳米管 射频电子学 
碳纳米管场效应晶体管的制备技术发展与挑战
《固体电子学研究与进展》2024年第6期503-518,共16页高喜龙 司佳 张志勇 
由平行阵列碳纳米管(Aligned carbon nanotubes,ACNTs)材料构建的场效应晶体管因其超高的载流子迁移率、尺寸缩减潜力、互补金属氧化物半导体(Complementary-metal-oxide-semiconductor,CMOS)的可实现性以及晶圆级制备的可能性,成为后...
关键词：阵列碳纳米管 场效应晶体管 集成电路 工艺优化 
碳纳米管场效应晶体管制备的新进展:可降解聚合物包裹技术
《石油炼制与化工》2024年第12期126-126,共1页燕春晖(摘译) 
随着传统硅基技术接近物理极限,寻找新型半导体材料成为了研究热点。碳纳米管(CNTs),特别是半导体型碳纳米管(s-CNTs),因其卓越的载流子迁移率和低本征电容,被认为是未来高性能电子器件的理想材料。然而,传统聚合物包裹技术虽然能有效...
关键词：半导体碳纳米管 碳纳米管场效应晶体管 可降解聚合物 载流子迁移率 新型半导体 团队开发 物理极限 半导体型 
韩国材料科学研究所开发出了世界上首种碳纳米材料屏蔽,能够吸收手机和汽车雷达99%以上的电磁波
《金属功能材料》2024年第6期73-73,共1页
据METAL TECH NEWS 12月9日消息,韩国材料科学研究所的研究人员开发出了世界上首种碳纳米材料屏蔽,能够同时吸收多个频段99%以上的电磁波,包括5G/6G、WiFi和自动驾驶雷达。研究人员合成了一种超薄的聚合物磁性复合薄膜,厚度不到0.5mm。...
关键词：无线通信设备 智能手机 碳纳米材料 材料科学 WIFI 汽车雷达 碳纳米管薄膜 电磁波 
CNT薄膜基电致调控器件的失效分析研究
《产业创新研究》2024年第22期130-132,共3页扈心舒 王长昊 王如志 
国家重点研发计划项目“新型高效深红-近红外发光材料及应用技术”(项目编号:2021YFB3500403)。
本工作探讨了碳纳米管薄膜基电致调控器件在多种模拟环境下的失效行为。研究发现,这些器件在经过服役后、长时间放置及恶劣环境等条件下均显示出性能下降或器件失效的现象,进一步分析了器件失效的原因。本研究工作将为优化碳纳米管薄膜...
关键词：红外发射率 碳纳米管 失效分析 
基于碳基500nm工艺的双采样真随机数发生器
《半导体技术》2024年第8期732-741,757,共11页蔡铭嫣 张九龄 陈智峰 廖文丽 陈译 陈铖颖 
福建省自然科学基金(2023H0052);厦门市重大科技计划项目(3502Z20221022)。
碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)因其极小的尺寸、超高的载流子迁移率、准一维结构的弹道输运等特性,顺应了未来集成电路高集成化和微型化的发展趋势。基于课题组构建的500 nm碳基工艺设计包,设计了一款真随机数发生器(TRNG)。碳基真随机...
关键词：碳纳米管场效应晶体管(CNTFET) 紧凑模型 真随机数发生器(TRNG) 振荡器 时钟抖动 
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