纳米压印光刻

作品数：48被引量：105H指数：6
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相关作者：张大卫田延岭贾晓辉丁玉成兰红波更多>>
相关机构：天津大学佳能株式会社中国科学院西安交通大学更多>>
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紫外纳米压印技术的研究进展被引量：7
《微纳电子技术》2017年第5期347-354,共8页殷敏琪 孙洪文 王海滨 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2015B22514)
传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料...
关键词：紫外纳米压印光刻(UV-NIL) 抗蚀剂 热压印光刻(T-NIL) 步进-闪光压印光刻(S-FIL) 卷对卷纳米压印光刻(R2R-NIL) 
从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展被引量：6
《微纳电子技术》2009年第3期186-190,共5页孙磊 戴庆元 乔高帅 吴日新 
从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果...
关键词：浸入式光刻 EUV光刻 无掩模光刻 纳米压印光刻 特征尺寸 
名词术语释义——纳米压印光刻技术
《微纳电子技术》2006年第3期134-134,共1页
关键词：光刻技术 纳米压印 术语定义 成像技术 纳米级 硅衬底 光刻胶 物理学 图形 
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