多层金属化

作品数：14被引量：12H指数：2
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相关作者：张聪施明哲章晓文费庆宇林晓玲更多>>
相关机构：中国电子科技集团公司济南市半导体元件实验所信息产业部电子第五研究所合肥工业大学更多>>
相关期刊：《森林工程》《半导体技术》《山东半导体技术》《中国新通信》更多>>
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碳化硅肖特基器件多层金属化技术研究被引量：2
《微处理机》2021年第1期31-33,共3页赵欢 
碳化硅作为近年来迅速发展起来的一种宽禁带半导体材料,具有宽禁带、高击穿电场、高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等优点,是制备大功率、高温、高频器件的理想材料。欧姆接触的实现是碳化硅器件制造工艺的关键。为保证欧姆...
关键词：碳化硅 二极管 金属化技术 肖特基 半导体器件 
MCM多层金属化及刻蚀技术研究被引量：1
《微处理机》2005年第1期7-8,共2页刘瑞丰 郑俊哲 
本文介绍了MCM芯片制造过程,MCM的关键工艺技术,重点介绍了MCM多层金属化及其湿式刻蚀技术。
关键词：凸点 回流 多层金属化 刻蚀 UBM 
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