金属硅化物

作品数：105被引量：250H指数：8
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微波等离子体退火制备CoSi_2薄膜
《Journal of Semiconductors》2004年第8期981-985,共5页欧阳斯可 汪涛 戴永兵 吴建生 何贤昶 沈荷生 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 13 10 3 0 )~~
采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与 (1 0 0 )硅衬底发生固相反应直接生成 Co Si2 ,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性 .通过 X射线衍射图谱发现 ,当退火时间相同时 ,在 6 1 0℃时先形成Co Si2 (1 1 1 )织构...
关键词：金属硅化物 钴 固相反应 微波等离子体 
Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第1期63-67,共5页屈新萍 徐蓓蕾 茹国平 李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu 
国家自然科学基金 (批准号 :60 10 60 0 2 ) ;上海市教委资助;上海教育发展基金会曙光计划;中国教育部博士点基金;国家科委-比利时弗兰德合作资助项目~~
采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经...
关键词：固相反应 固相外延 金属硅化物 二硅化钴 中间层诱导 
Pt层对Ni/Si(100)固相反应NiSi薄膜高温稳定性的增强效应被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第4期451-455,共5页韩永召 李炳宗 屈新萍 茹国平 
国家自然科学基金!资助项目 (6 9776 0 0 5 )&&
研究了顺次淀积在 Si (10 0 )衬底上的 Ni/ Pt和 Pt/ Ni的固相硅化反应 .研究发现 ,当 1nm Pt作为中间层或覆盖层加入 Ni/ Si体系中时 ,延缓了 Ni Si向 Ni Si2 的转变 ,相变温度提高 .对于这种双层薄膜体系 ,80 0℃退火后 ,XRD测试未检...
关键词：热稳定性 金属硅化物 固相反应 Pt层 增强效应 NiSi薄膜 
图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1999年第11期1010-1014,共5页吴正龙 姚振钰 刘志凯 张建辉 秦复光 林兰英 
八五攻关研究项目
本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子，并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区...
关键词：金属硅化物 离子束淀积 钴 硅-氧化硅 
H在Pt/Si上的化学吸附对Pt/Si界面特性的影响
《Journal of Semiconductors》1992年第12期750-755,共6页徐国定 张涛 
本文在一维紧束缚近似下,利用格林函数方法和复能积分技术,研究了H在 Pt/Si上的化学吸附对 Pt/Si界面特性的影响。分别以紧束缚的 d轨道模型和sp杂化轨道模型描述金属 Pt和衬底Si,计算了在H被吸附前、后 Pt/Si的界面能和吸附前、后 Pt...
关键词：氢 Pt/Si 化学吸附 金属硅化物 
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