金属接触

作品数：99被引量：127H指数：6
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职业锰接触工人血细胞锰与血红蛋白的关联性研究
《职业卫生与应急救援》2024年第6期734-739,共6页周英花 葛小婷 游源源 何俊秀 林森才 胡思瀚 杨晓波 
国家自然科学基金(82304105);国家级大学生创新创业训练计划资助项目(202310594033)。
目的探讨职业锰接触工人血细胞锰与血红蛋白的关联及剂量-效应关系,为预防职业锰接触导致的健康损害提供科学依据。方法选取广西某锰铁合金冶炼厂的826名锰接触工人作为研究对象,收集他们在2017年随访期间完成的流行病学问卷调查和现场...
关键词：金属接触 锰 血红蛋白 限制性立方样条分析 剂量-效应关系 
特殊螺纹油管密封面相控阵超声图像特征分析
《石油机械》2024年第6期123-129,共7页田春萌 樊建春 胡瑾秋 杨帅 魏凯哲 
中海石油(中国)有限公司北京研究中心项目“CO_(2)封存与利用钻采关键技术——CO_(2)注入井气密扣密封性快速检测装置加工”(CCL2022RCPS0263KSN)。
特殊螺纹油管密封面的接触状况对密封性能有重要影响。超声反射幅值应力技术仅依靠反射系数单一参数,难以全面评估密封面不同接触状况。为此,通过采集不同扭矩及无螺纹脂情况下油管密封面相控阵超声图像,提取图像的纹理特征,分析纹理特...
关键词：特殊螺纹连接 金属接触 相控阵超声检测 纹理分析 特征参数 螺纹脂 
前段结构对全隔离CMOS图像传感器性能的影响分析
《集成电路应用》2024年第5期10-12,共3页王文轩 
阐述全隔离图像传感器前段不同的金属接触孔结构、多晶硅结构对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,在像素隔离区域设置金属接触孔结构,或者同时设置金属接触孔与多晶硅结构,可以提升传感器红外光波段抗串扰能力,并且金属接触...
关键词：全隔离CMOS图像传感器 金属接触孔结构 多晶硅结构 
辐射场中金属接触非线性源的无源互调仿真方法
《空间电子技术》2023年第6期30-35,共6页曹智 赵小龙 周昊楠 张可越 陈雄 贺永宁 
国家自然科学基金项目(编号:62271240);国家重点实验室基金项目(编号:6142411122115)。
文章提出并验证了一种可以预测被天线接收的金属接触无源互调(passive intermodulation,PIM)幅值的仿真方法。把辐射场中的金属接触界面设置为非线性电流源离散端口,以该非线性电流源作为激励源通过CST场仿真能够获取天线接收端口的PIM...
关键词：无源互调 金属接触 辐射场 非线性电流源 非线性参数 
“铜臭味”就是金属本身的怪味吗
《发明与创新（高中生）》2023年第11期48-49,共2页袁智勤 熊斌 
流言:“吴中铜臭户,七万沸如脏。”诗中“铜臭”常被用来指代商人,这是因为商人常年接触铜钱而被沾染了金属的气味。真相:金属本无味,人在接触金属后闻到的是人体分泌物与金属接触,发生催化氧化反应形成的有气味的醛类或酮类物质散发的...
关键词：金属接触 催化氧化反应 酮类物质 气味 分泌物 商人 
晶体硅表面形貌对钝化接触电池的影响
《电源技术》2023年第11期1490-1494,共5页张婷 刘大伟 杨露 魏凯峰 倪玉凤 
硅片基底形貌是影响太阳电池薄膜沉积和钝化质量的因素之一。以TOPCon电池结构为基础,采用三种不同溶液腐蚀制备了三种不同的硅背表面形貌,结合形貌、反射率、磷杂质掺杂分布、表面钝化结果测试及电池效率和金属接触电阻测试等表征方法...
关键词：钝化接触电池 表面形貌 表面钝化 金属接触 
基于缝隙波导工装的金属接触PIM统计行为研究被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2023年第3期278-285,共8页张松昌 赵小龙 曹智 贺永宁 
西安市科技局三年行动计划资助项目(2021XDJH17)。
提出一种基于缝隙波导的可分离且可同时测量接触电阻和无源互调(PIM)的电接触PIM测试方法,并在此基础上研究了金属接触PIM的统计行为。通过接触样品的表面形貌和成分表征,确定了铝合金和镀银铝合金待测件表面存在的氧化膜是产生PIM的主...
关键词：接触电阻 缝隙波导 统计分布 无源互调 微凸体 
薄吸收区AlGaN肖特基日盲探测器在不同金属接触下的表现及机理分析被引量：1
《半导体光电》2022年第3期510-516,共7页胡乐枫 张燕 
国家自然科学基金面上项目(61774162)。
针对具备100~200nm薄吸收区的肖特基型探测器,研究了不同金属接触对其暗电流和光谱响应特性的影响。以GaN基材料为主体,在薄层Al_(0.42)Ga_(0.58)N表面分别制备Au和Ni/Au形成肖特基接触,在Al_(0.55)Ga_(0.45)N表面以Ti/Al/Ti/Au制备欧...
关键词：ALGAN 肖特基 接触金属 薄吸收区 
SiC肖特基二极管势垒不均匀分布理论与研究进展
《微电子学与计算机》2022年第2期9-18,共10页马跃 黄玲琴 邓旭良 朱靖 
国家自然科学基金项目(62074071);徐州市科技计划项目(KC21008);2021江苏高校青蓝工程资助项目;江苏师范大学研究生科研实践创新计划项目(2020XKT084)。
碳化硅(SiC)半导体具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异的性能,在高温、高频和大功率器件领域具有广阔的应用前景.SiC肖特基二极管是最早商用化的SiC器件,然而,由于决定金属接触性能的肖特基势垒无法得到有效控制,高性能的SiC...
关键词：碳化硅 金属接触 热电子发射 势垒不均匀 
基于异质金属接触电化学腐蚀的MMIC阻性衰减器失效分析被引量：1
《半导体技术》2021年第12期974-977,共4页何志刚 张玉兴 艾凯旋 梁栋程 
针对某单片微波集成电路(MMIC)阻性衰减器断路故障进行了失效分析。开封后,利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和聚焦离子束(FIB)等对失效样品进行检测。经检测发现W电阻薄膜断裂导致器件断路失效。W电阻薄膜断裂的原因是W-Au异质金...
关键词：衰减器 失效分析 单片微波集成电路(MMIC)芯片 电化学腐蚀 异质金属 
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