多晶硅发射极

作品数：49被引量：23H指数：2
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多晶硅发射极晶体管直流特性研究被引量：2
《半导体技术》1999年第1期28-31,共4页刘英坤 张大立 周名辉 张振宇 周晓黎 李锦标 
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率，高的电流能力，改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿。电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。
关键词：多晶硅发射极 砷注入 电流增益 掺杂 晶体管 
低温硅双极晶体管电流增益研究被引量：1
《半导体技术》1998年第3期32-36,共5页李彦波 薄仕群 
着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应。导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。
关键词：硅双极晶体管 电流倍增 多晶硅发射极 
多晶硅发射极晶体管电流增益的计算机分析
《半导体技术》1992年第5期49-52,48,共5页高勇 赵旭东 余宁梅 刘先锋 
本文采用较精确的模型,对多晶硅发射极晶体管特有的发射区结构:SiO_2层厚度与位置、准中性发射区厚度、发射极表面浓度等参数对电流增益的影响进行了计算机分析,为这种器件的优化设计提供了有益的数值分析结果。
关键词：晶体管 发射机 多晶硅 电流增益 
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