多孔硅

作品数：1081被引量：1221H指数：12
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多孔硅薄层的正电子湮灭寿命研究被引量：1
《物理》2005年第2期147-150,共4页蒋中英 黄红波 徐寒 黄彦君 夏元复 
国家自然科学基金(批准号: 19835050)重点资助项目
用阳极氧化法按不同腐蚀条件制备的多孔硅,其薄层厚度仅为几十纳米,远小于22Na源的正电子平均射程.文章提出了一种用22Na的正电子测量体寿命谱并扣除基片贡献的方法,来确定多孔硅薄层的平均孔径.
关键词：正电子 湮灭 多孔硅 平均 基片 薄层 射程 层厚 寿命 研究 
发光不衰减的多孔硅被引量：8
《物理》1999年第4期195-197,共3页李新建 张裕恒 
国家自然科学基金
用一种新的方法制备出了具有不衰减的光致发光特性的多孔硅．如此制备的多孔硅新鲜样品，其发光峰位强度比普通多孔硅高２—２５倍．将样品在室温下暴露于空气中，其发光强度在前４个月中单调增加，然后达到饱和．在随后的８个月中，...
关键词：多孔硅 光致发光 量子限域模型 光电子材料 
硅集成电路亮起来了
《物理》1997年第10期637-638,共2页
硅集成电路亮起来了这是英国《自然》杂志１９９６年１１月第３８４卷上斯坦福大学Ｍｉｌｅｒ教授一篇专文的题目［１］．事情还是从多孔硅（ＰＳ）发光所引起的．多孔硅在室温下高效率发射可见光是Ｃａｎｈａｍ［２］于１９９０年发现...
关键词：硅集成电路 多孔硅 PS 发光器件 
准自由硅团簇的表面模
《物理》1997年第10期577-578,共2页王广厚 
文章介绍用惰性气体冷凝法制得Ｓｉ团簇并首次将其嵌入多孔硅的孔隙中，经与孔壁多次掠角散射形成准自由团簇．激光拉曼谱测量显示，除了多孔硅的散射峰（５１０ｃｍ－１附近）外，存在一些新的低频散射峰：分别在２７（２９），３７和...
关键词：准自由团簇 激光拉曼谱 硅团簇 表面模 多孔硅 
硅基发光材料研究进展被引量：5
《物理》1997年第4期198-203,共6页鲍希茂 
微电子技术是高技术中的关键技术，硅是微电子技术的基础材料．但是硅是一种非发光材料．为了发展光电子集成技术，必须大力发展硅基发光材料．多孔硅是一种有希望的硅基发光材料，它表明纳米晶粒中的量子限制效应对光发射是极有效的．...
关键词：硅基 发光材料 光致发光 光电子学 多孔硅 
硅基低维半导体材料
《物理》1997年第3期150-154,共5页刘明 窦红飞 何宇亮 江兴流 
Ｓｉ／Ｇｅ超晶格外延生长技术的发展和纳米硅（ｎｃＳｉ∶Ｈ）、多孔硅（ＰＳ）发光现象的发现，引起了人们对硅基低维材料的关注．文章简要综述了近年来在Ｓｉ／Ｇｅ超晶格的电子态和光学性质以及ｎｃＳｉ∶Ｈ。
关键词：低维结构 超晶格 纳米硅 多孔硅 光电子 
多孔硅发光机理的新探索被引量：7
《物理》1995年第4期212-217,232,共7页俞鸣人 王迅 
自从９０年代初次发现多孔硅发射可见光的现象以来，人们在其发光机理和可能的技术应用上作了许多工作，而发光机理则是开发实用器件的重要前提。该文在对当前研究动态作介绍之后，分析了一个涉及载流子在约束态和表面态之间转移的综合...
关键词：多孔硅 发光机理 量子约束 载流子注入 
发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化
《物理》1994年第12期761-762,共2页俞鸣人 王迅 
发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化自从Ｃａｎｈａｍ［１］在１９９０年发现多孔硅（ＰＳ）在窒温下高效率的可见光发射以来，由于其在光电技术上的应用前景，加上它和硅大规模集成工艺的可容性，很快就引起人们的极大关注。因此，...
关键词：多孔硅 荧光峰位 钉扎 尺寸量子化 
多孔硅的电致发光
《物理》1994年第12期715-719,共5页俞鸣人 侯晓远 
９０年代初发展起来的发光多孔硅材料在发光的全色性、电致发光的效率以及稳定性等方面取得不少重要进展，介绍了几种多孔硅发光二极管结构及有关的电致发光机理，从其进展的速度以及目前已达到的量子效率＞１０￣－４的水平来看，其进...
关键词：多孔硅 电致发光 发光机理 
硅光电集成的曙光──多孔硅的电致发光
《物理》1993年第12期715-719,共5页施洪涛 郑有炓 
近两年来，多孔硅的发光特性已经成为国际半导体界的研究热点．介绍了多孔硅器件电致发光方面的研究进展，给出了多孔硅器件的基本结构以及相应的光谱响应，阐述了多孔硅固态器件的电致发光在硅光电集成发展过程中的重要意义以及目前尚...
关键词：多孔硅 电致发光 发谱响应 
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