多孔硅

作品数：1080被引量：1218H指数：12
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罗丹明6G在多孔硅-银粒子复合基底上的表面增强拉曼散射被引量：1
《复旦学报（自然科学版）》2023年第5期647-653,665,共8页王涛 徐伟 
多孔硅与货币金属(Au、Ag、Cu)的复合材料在表面增强拉曼光谱领域有很大的应用前景。本文采用恒电流电解法分别制备了具有均匀纳米孔洞的低阻多孔硅和具有多层次微纳米结构的高阻多孔硅,并开发了一种将铈掺杂进入银胶体中形成铈掺杂的...
关键词：银胶体 铈掺杂银纳米粒子 多孔硅-银粒子复合材料 表面增强拉曼散射 
石墨烯/多孔纳米硅负极的电化学性能被引量：3
《电化学》2015年第6期572-576,共5页李纯莉 杨广 张平 江志裕 
采用酸浸蚀Al-Si合金的方法制备了多孔纳米Si,并用其制作以石墨烯为导电材料的石墨烯/多孔纳米Si负极.SEM和TEM的分析表明两者混合均匀.作为锂离子电池的负极,该电极在1 mol·L^(-1)Li PF6/EC(碳酸乙烯酯):DMC(碳酸二甲酯)=1:1(by volum...
关键词：锂离子电池 多孔硅 石墨烯 
酸浸蚀Al-Si合金制备锂离子电池高性能多孔硅负极材料被引量：10
《电化学》2014年第1期1-4,共4页郝世吉 李纯莉 朱凱 张平 江志裕 
本文首次提出利用酸浸蚀Si-Al(含Al 80%)合金粉末的方法制备多孔硅材料.分析表明,制得的多孔硅材料为晶体,并具有由纳米颗粒结集成的海绵状多孔结构,其粒径约20μm,比表面102.7 m2·g-1.多孔硅电极按多孔硅:导电碳:粘结剂=1:1:1(by mass...
关键词：锂离子电池 多孔硅 硅电极 铝硅合金 氟化碳酸乙烯酯 
无酸水热法制备多孔硅及其PⅢ表面改性
《半导体技术》2008年第6期488-491,494,共5页李慧 卢茜 吴子景 吴晓京 
上海市重点学科建设资助项目(B113)
采用无酸水热法,制备了多孔硅材料。使用扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段观察了样品表面形貌,比较了在不同氧化铋刻蚀剂量下得到的多孔硅结构,发现随着刻蚀剂浓度的增加,平均孔径尺寸变大,且孔径分布趋于离散。使用等离子浸没注入技...
关键词：无酸水热法 多孔硅 等离子体浸没注入技术 光致发光 
新功能材料微波与流控MEMS模拟与实践
《电子材料与电子技术》2008年第1期5-9,共5页葛羽屏 纪江明 王婉芳 
本文相关项目资助：2006年“上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金”,上海市科教委员会.
理论分析与MEMS功能极为相关的多孔材料的若干特性；用系统的理论支持了多孔材料之引入；设计了一个微纳流控MEMS结构；研究微波／毫米波移相器的制备，给出了制备实图；然后阐述了典型结构功能分析与有限元方法结合的实践和解释，用AN...
关键词：微机电系统(MEMS) 有限元法 衬底 多孔硅 ANSYS 微波 
多孔硅反射镜基有机微腔器件的微结构和光电特性研究被引量：5
《中国科学（E辑）》2005年第3期278-289,共12页熊祖洪 樊永良 詹义强 张松涛 丁训民 侯晓远 
国家重点基础研究特别基金(批准号: 2001CB610408);重庆市科委(批准号: 2003-7934)资助项目
从微结构和光电特性方面研究了一种新型硅基微腔的有机发光器件(SBM-OLEDs): 硅基多孔硅分布 Bragg 反射镜(PS-DBR)/SiO2/ITO/有机多层膜/LiF/Al(1 nm)/Ag. 微腔器件的重要组成部分 PS-DBR 由低成本、高效率的电化学腐蚀方法制备. 场发...
关键词：多孔硅 电化学腐蚀 硅基微腔 电致发光 有机光发射二极管 
多孔硅的微结构对其Raman谱的影响
《半导体光电》2004年第3期194-196,共3页刘小兵 史向华 柳毅 柳玥 王行军 丁训民 侯晓远 
国家自然科学基金资助项目(19525410)
　用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电子图像和背散电子图像的分析。使用高灵敏的共焦显微Raman...
关键词：多孔硅 场发射扫描电镜 RAMAN谱 微结构 
多孔硅生长的三维Monte Carlo模拟被引量：1
《复旦学报（自然科学版）》2002年第2期202-207,共6页宗祥福 吴福杨 翁渝民 
采用修正的逾渗模型 ,通过简单的三维MonteCarlo计算 ,模拟了多孔硅中孔形成的动力学过程 .计算结果表明 :长成的孔的形貌主要与衬底的掺杂浓度有关 ;在所有的强发光多孔硅的表面及体内都存在海绵状的多孔结构 ;孔度的最大值并不是在最...
关键词：三维Monte CARLO模拟 多孔硅 海绵状 孔度 耗尽层 
电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔被引量：4
《Journal of Semiconductors》2002年第3期272-275,共4页徐少辉 熊祖洪 顾岚岚 柳毅 丁训民 侯晓远 
国家自然科学基金资助项目 (No.5 983 2 10 0 )~~
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ...
关键词：多孔硅 微腔 光致发光 窄峰发射 电化学脉冲腐蚀法 
用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1127-1130,共4页熊卫华 熊祖洪 陆昉 
上海市科委资助项目~~
利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱 ,对...
关键词：光电流谱 多孔硅微腔 PL谱 光电特性 
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