单片集成

作品数：1069被引量：1273H指数：11
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太赫兹片上集成天线过渡
《微波学报》2024年第S1期175-177,共3页杜泽 李虎 段植与 王怀北 詹铭周 
国家自然科学基金(62071089)
本研究提出了一种太赫兹(THz)波段低损耗、低成本片上集成天线过渡模型。基于具有较高电阻率的磷化铟(InP)材料,选择半波偶极子结构设计集成天线,并采用E面被打开的矩形波导设计狭缝宽1.07mm的过渡结构。测试结果表明,背靠背片上集成偶...
关键词：太赫兹 片上集成天线 太赫兹单片集成电路 磷化铟 
带有四次谐波回路的110GHz二倍频器
《微波学报》2024年第S1期105-108,共4页刘志成 周静涛 王晓宇 柴凯龙 金智 贾锐 
在本文中,基于肖特基二极管和单片集成技术,设计了一款带有四次谐波回路的110GHz二倍频器。该倍频器基于平衡式二倍频器的电路拓扑结构,引入了额外的四次谐波回路,以提高输出效率。为了减少电路的长度,降低损耗和装配难度,采用改进型CS...
关键词：二倍频器 谐波回收 单片集成 肖特基二极管 太赫兹电路 
一种频率与带宽可调的可重构射频滤波器芯片
《微波学报》2024年第1期87-92,共6页骆银松 李智鹏 吕俊材 曾荣 吕立明 
本文基于0.25μm砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺设计实现了一款频率与带宽皆可调的有源可重构滤波器芯片。该滤波器采用了双通道信道化拓扑结构,每个通道由两级可调谐振器与三级宽带放大器交叉级联构成,通过对通道内各级谐振器频率...
关键词：可重构滤波器 信道化结构 砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 
基于平面肖特基二极管的平衡式亚毫米波倍频器芯片被引量：1
《微波学报》2021年第3期64-67,共4页孟范忠 毕胜赢 陈艳 周国 方园 
国家自然科学基金(62034003)。
基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路。依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好...
关键词：平面肖特基二极管 三线耦合巴伦 平衡式倍频器 单片集成电路 
一种用于5G终端的毫米波收发器前端芯片的研制被引量：3
《微波学报》2020年第4期86-89,94,共5页王美兰 陈炎桂 胡楠 
用0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率电子管(EPHEMT)工艺研制了一款集功率放大器、低噪声放大器、单刀双掷开关为一体的、可用于5G宽带无线移动通信系统终端的毫米波收发器前端芯片。其中,功率放大器采用电抗匹配技术的两级放大拓扑结...
关键词：砷化镓 微波单片集成电路 功率放大器 收发 第五代宽带无线移动通信系统 
C波段GaN MMIC功率芯片在T/R组件中应用验证被引量：1
《微波学报》2020年第S01期179-182,共4页郭庆 
GaN功率器件有功率大、体积小和效率高的特点。文中介绍了一款C波段GaN MMIC功率芯片和其在T/R组件中应用验证情况,该芯片尺寸3.2mm×5.3mm×0.08mm。在5~6GHz频带内输出功率大于60W,增益大于25dB,效率大于40%;应用此芯片的T/R组件输出...
关键词：C波段 氮化镓功率放大器 微波单片集成电路 相控阵 
基于GaAs pHEMT工艺的Ka频段双通道开关滤波器芯片被引量：5
《微波学报》2020年第2期14-17,22,共5页李鹏亮 吴欢 张大为 徐鑫 
传统的毫米波开关滤波器组件通常基于分立器件或分立芯片,已无法满足快速发展的毫米波频段通信系统特别是5G通信系统的小型化、轻量化需求。为此,文中采用0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计并实现了一款工作在Ka频段的双通道开关滤波器芯片...
关键词：砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 KA频段 双通道 开关滤波器 微波单片集成电路 
基于InP DHBT 220 GHz高增益功率放大器TMIC设计
《微波学报》2018年第A01期263-265,共3页黎雨坤 张勇 李骁 陈亚培 靳赛赛 崔建行 
基于0.5μmInPDHBT工艺设计了一款工作在220GHz的两级太赫兹单片集成电路。该电路采用共发射极共基级结构与薄膜微带线工艺,保证了该功率放大器具有紧凑的结构的同时又具有较高的增益,该功率放大器芯片面积为1400μm×1400μm,在215～22...
关键词：磷化铟双异质结双极晶体管 太赫兹单片集成电路 功率放大器 共发射极共基级 
0.5-18GHz超宽带低噪声放大器单片电路研制被引量：7
《微波学报》2016年第S1期220-222,共3页朱熔琦 徐锐敏 
中央高校基本科研基金(A03011023801006002)
本文基于分布式放大器原理,采用0.15um Ga As PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用7级分布式拓扑结构,为了提高放大器的增益,每级由两个晶体管组成共源共栅结构。最终结果表明该放大器在0.5-18GH...
关键词：超宽带 低噪声放大器 行波分布式 微波单片集成电路 
高灵敏度单片集成W波段功率检波器
《微波学报》2015年第6期39-43,共5页胡强 叶禹 佟瑞 孙晓玮 
上海市科委"科技创新行动"(13511500700)
介绍了一款高灵敏度W波段功率检波器芯片的设计及其封装测试结果。该检波器电路采用标准0.1μm Ga As p HEMT工艺设计加工制造完成。封装测试结果显示,当射频输入信号功率为-15d Bm时,检波电路在90~95GHz频率范围内的电压灵敏度大于6000...
关键词：低噪声放大器 W波段检波器 宽带检波器 高电压灵敏度 
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