光敏器件

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注入光敏器件与MOS场效应结构比较
《半导体光电》2000年第6期439-441,445,共4页何民才 黄启俊 王海军 
通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 。
关键词：光探测器 注入光敏器件 MOS场效应结构 
只要是注入电流一定能抽取
《半导体光电》2000年第6期442-445,共4页何民才 黄启俊 
针对“商榷”者提出的不同见解进行了讨论 ,指出利用输出结抽取开路受光结的注入电流为光电信号正是注入光敏器件的创新所在。
关键词：光电信号 注入光敏器件 注入电流 
四论注入光敏器件的物理基础被引量：4
《半导体光电》1998年第4期263-270,共8页何民才 黄启俊 乐望民 
叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。文中还分析了文献［１～５、１０］中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。
关键词：光电器件 光敏器件 注入光敏器件 
内调制光电探测器与GCMPD灵敏度的比较
《半导体光电》1998年第4期271-273,共3页何民才 黄启俊 刘畅 
国家自然科学基金;国家八.五重点科技攻关项目
通过严格的对比实验发现，内调制光电探测器的灵敏度比ＧＣＭＰＤ的高很多。文中还指出了ＧＣＭＰＤ理论的基本错误和实验的欠妥之处。
关键词：光电探测器 光敏器件 灵敏度 
关于间接耦合光电探测器的存疑点剖析被引量：3
《传感技术学报》1998年第1期46-54,共9页何民才 黄启俊 
本文用新的实验再一次证明,注入光敏器件是肖克莱晶体管理论运用于光敏器件的体现.并指出了光敏器件的最重要工作之一是提高它的信噪比,而不是单纯地增加灵敏度,注入光敏器件正是为了这个目的而提出的.其间着重剖析了对间接耦合光电探...
关键词：光电探测器 光敏器件 注入光敏器件 间接耦合 
注入光敏器件是一种新型的光电探测器被引量：7
《固体电子学研究与进展》1995年第4期356-364,共9页何民才 黄启俊 龙理 陈畅生 
注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良...
关键词：光电探测器 注入光敏器件 光敏器件 
注入光敏三极管的基本特性和分析被引量：5
《Journal of Semiconductors》1994年第9期631-638,共8页何民才 黄启俊 陈炳若 龙理 陈畅生 戴锋 池桂梅 
本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在．最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释．
关键词：光敏三极管 注入 光敏器件 特性 
内调制光敏管物理特性的进一步研究
《武汉大学学报（自然科学版）》1992年第2期55-60,共6页何民才 龙理 黄启俊 陈炳若 陈畅生 
国家自然科学基金; 机电部电科院资助课题
本文详细地分析了一种新型光电探测器——内调制光敏管的物理特性,考虑了表面态和通道空穴准费米势分布的影响。导出了通道内空穴浓度和空穴准费米势沿通道的分布,和耦合系数与栅压的关系,它们与实验结果符台得较好。
关键词：光电探测器 光敏器件 内调制光敏管 
注入光敏器件耦合系数的讨论被引量：3
《传感技术学报》1990年第1期37-40,共4页何民才 黄启俊 陈炳若 
本文提出了间接耦合这个新概念,在此基础上找到了间接耦合的具体形式——注入光敏器件.文中对耦合系数进行了详细讨论.实验证实,注入光敏器件的信噪比高于普通光敏器件约两个数量级,显示出它的实用可能性.
关键词：间接耦合 注入电流 注入光敏器件 耦合系数 
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