硅晶体管

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可提高晶体管电子迁移率的硅-氮化镓晶体技术
《现代材料动态》2017年第8期6-6,共1页李龙飞 
伊利诺伊大学厄巴纳·尚佩恩分校的一个研究小组通过优化构成器件的半导体层的组成提高氮化镓(GaN)-硅晶体管技术。并与行业合作伙伴Veeco和IBM合作,该团队在200mm硅衬底上创建了高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,其工艺将扩展到更...
关键词:高电子迁移率晶体管 硅晶体管 晶体技术 氮化镓 合作伙伴 半导体层 晶圆尺寸 工业标准 
碳纳米管将替代硅
《现代材料动态》2015年第7期4-4,共1页董丽 
IBM正在开展一个用碳纳米管制造晶体管的项目,预计大约在2020年能替代硅晶体管。根据半导体工业界的发展路线,晶体管将要求小到5nm以满足计算机芯片不断变小的要求。
关键词:硅晶体管 碳纳米管 计算机芯片 IBM 工业界 半导体 
日本东京大学开发快速、低耗电锗晶体管
《现代材料动态》2010年第11期4-4,共1页杨晓婵(摘译) 
日本东京大学的鸟海明教授的研究小组利用锗单晶,开发出比硅晶体管速度快、耗电低的锗晶体管。最初,晶体管及Ic半导体基板材料均采用的是锗,锗作为半导体材料,其载流子(电子及空穴)迁移率比硅高,但用锗很难形成像硅半导体器件的S...
关键词:日本东京大学 锗晶体管 低耗电 开发 半导体材料 硅晶体管 硅半导体器件 膜制备技术 
氮化镓晶体管有望成新“半导体之王”
《现代材料动态》2010年第3期23-23,共1页
美国康奈尔大学的研究人员制成了一种高效低耗的氮化镓晶体管,有望在短期内取代硅晶体管,成为电力应用中的“半导体之王”。 作为康奈尔大学工程系教授莱斯特·伊士曼的研究生,石俊夏(音译)等人研发出了基于氮化镓的晶体管设备,...
关键词:硅晶体管 氮化镓 半导体 美国康奈尔大学 电子转换器 高效低耗 研究人员 电力应用 
硅晶体管中加氟可提高中子速度
《现代材料动态》2007年第3期13-14,共2页杨英惠(摘译) 
英国南安普敦大学研究人员发现,在制造三层晶体管时向硅中加氟可使其中电子流动速度加快。研究人员利用现有硅制造工艺向硅器件加氟以图提高电子速度。
关键词:硅晶体管 流动速度 加氟 英国南安普敦大学 中子 研究人员 电子速度 制造工艺 
碳纳米管制成的晶体管拥有高出25%的迁移率
《现代材料动态》2005年第2期8-8,共1页杨英惠 
美国马里兰大学的科学家制成了碳纳米管晶体管,其迁移率是硅晶体管的70倍。碳纳米管晶体管可以检出存贮器中的单个电子。碳纳米管的迁移率达100000cm^2/v.s,而锑化铟的迁移率是77000cm^2/v.s,硅的迁移率是1500cm^2/v.s。
关键词:迁移率 硅晶体管 碳纳米管晶体管 锑化铟 电子 管制 美国 存贮器 
国际半导体技术财团认真研发各种新材料
《现代材料动态》2004年第10期5-7,共3页邓志杰 
正在研发的新材料将提升硅晶体管工艺:提高工作速度、降低功耗,改善散热能力和增添RF(射频)/模拟功能而保持CMOS工艺的大规模集成能力。开发新材料连同传统的CMOS器件特征尺寸不断减小,实质上是要维持CMOS工艺按发展规划所定目标发...
关键词:CMOS工艺 特征尺寸 研究组 半导体技术 CMOS器件 硅晶体管 半导体工艺 财团 国际 研发 
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