硅半导体器件

作品数：9被引量：6H指数：1
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相关机构：西安交通大学中国电子科技集团公司第五十五研究所IMEC 非营利协会菲利浦光灯制造公司更多>>
相关期刊：《电子工艺简讯》《光机电信息》《新材料产业》《中国集成电路》更多>>
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当前碳化硅半导体器件相关材料特征问题探讨
《新材料产业》2018年第7期55-56,共2页何钧 王锡铭 刘超 
碳化硅半导体器件的迅速发展,给相关研究以及产业领域提出了很多需要解决的问题,产生了许多不确定性因素,但也带来了新的产业和机遇。本文主要从材料的传统机械特性做一个介绍性的讨论。一、产业现状综述对于迅速发展中的基于第3代半导...
关键词：硅半导体器件 碳化硅器件 材料特征 产业领域 不确定性因素 机械特性 产业现状 市场发育 
石油压裂支撑剂材料开发应用前景分析被引量：4
《新材料产业》2018年第8期46-49,共4页冷悦山 余黎明 
碳化硅半导体器件的迅速发展,给相关研究以水力压裂技术作为油气井增产的主要工艺措施的研究提供了技术支持,主要应用于低渗油气田、高压油气层、中深井和潜井改造,技术核心是利用添加化学物质的高压水流对地层进行压裂（形成高于地层...
关键词：压裂支撑剂 材料开发 应用 石油 硅半导体器件 水力压裂技术 导流能力 技术支持 
日本东京大学开发快速、低耗电锗晶体管
《现代材料动态》2010年第11期4-4,共1页杨晓婵（摘译） 
日本东京大学的鸟海明教授的研究小组利用锗单晶，开发出比硅晶体管速度快、耗电低的锗晶体管。最初，晶体管及Ic半导体基板材料均采用的是锗，锗作为半导体材料，其载流子（电子及空穴）迁移率比硅高，但用锗很难形成像硅半导体器件的S...
关键词：日本东京大学 锗晶体管 低耗电 开发 半导体材料 硅晶体管 硅半导体器件 膜制备技术 
硅半导体特性的发现及硅器件发展及应用的曲折经历
《中国集成电路》2006年第7期18-22,共5页
关键词：半导体特性 硅器件 硅半导体器件 现代信息技术 微电子技术 发达国家 创新型 
薄膜科学与技术
《光机电信息》2005年第9期32-33,共2页
碳化硅半导体器件用薄膜=Thin film in silicon carbide semiconductor
关键词：薄膜科学 SEMICONDUCTOR SILICON DEVICES 技术 硅半导体器件 in 
显微拉曼在硅半导体器件表征中的一些重要应用(英文)被引量：1
《光散射学报》2003年第4期268-275,共8页申泽骧 
显微拉曼(μRS)在硅半导体器件生产中有许多重要和独特的应用。它可以提供一些非常重要的,于传统表征技术,如四探针法,TEM,AFM,SEM及XRD,相辅助的信息。本文报道μRS在硅器件研究中的一些重要应用。我们成功的应用μRS研究技术上重要的T...
关键词：显微拉曼 硅半导体器件 四探针法 薄膜厚度 应力计算 穿透深度 
P^+掺杂浓度分布对硅半导体器件正向特性的影响被引量：1
《西安交通大学学报》1993年第4期53-60,共8页徐传骧 李仰平 崔秀芳 金兰香 翟保定 
国家自然科学基金
为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P^+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究.结果表明:对于烧铝电极器件浓硼扩散改善压降作用主要取决于能否提高器件的少子寿命;磷扩散工...
关键词：半导体器件 导电性 掺杂浓度分布 
GD a-C:H膜对硅半导体器件的钝化作用
《山东大学学报（自然科学版）》1990年第3期313-317,共5页马瑾 宋学文 
将氢化非晶碳薄膜(GDα-C:H)应用于硅半导体晶体管的表面钝化,取得了与α-Si:H 膜相类似的效果。对α-C:H 的钝化机理进行了初步探讨。
关键词：a-C:H 半导体器件 表面钝化 
细铝电极条的湿法腐蚀的改进
《电子工艺简讯》1989年第1期7-8,共2页吴克林 孙林 
关键词：细铝电极条 湿法腐蚀 硅半导体器件 
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