硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王新陈星弼何进童勤义黄庆安更多>>
相关机构：东南大学电子科技大学华中科技大学浙江大学更多>>
相关期刊：《河北工业大学学报》《国外电力电子技术》《电子器件》《微电子学》更多>>
相关基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=电子器件x
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
硅片直接键合技术及应用
《电子器件》1996年第4期256-261,共6页唐国洪 
本文介绍了硅片键合技术和键合界面性能及其在高压功率器件。
关键词：硅片直接键合 高压功率器件 介质隔离器件 
硅片直接键合技术在双极功率器件中的应用
《电子器件》1995年第2期86-89,共4页茅盘松 
本文介绍了利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术代替三重扩散，生产ＤＫ５５双极功率器件。实验说明，ＳＤＢ片代替三重扩散无需高温长时间的扩散，由于衬底质量好，器件特性得到提高，工艺过程中碎片率减少，生产效率提高。
关键词：双极功率器件 硅片直接键合 应用 
硅—硅键合界面的TEM观察
《电子器件》1993年第4期203-205,共3页詹娟 刘先廷 
本文主要利用电子透射显微镜观察硅片直接键合界面,在界面处存在一无定型过渡区,证实了依靠硅片表面吸附的羟基作用完成键合时,在界面会留下极薄的硅氧化物无定形区.
关键词：硅片直接键合 硅 界面 电子透射显微镜 观察 
新型功率器件MCT的研究
《电子器件》1993年第2期87-93,共7页唐国洪 陈德英 周健 
本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42...
关键词：晶闸管 功率器件 硅片直接键合 MOS控制 晶闸管 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部