高K材料

作品数：29被引量：44H指数：4
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：赵超王桂磊沈应中王黎君李俊峰更多>>
相关机构：复旦大学中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《微电子学》《半导体技术》《物理学报》《热加工工艺》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金国家科技重大专项更多>>
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电荷俘获存储器阻挡层研究进展
《微纳电子技术》2012年第6期360-368,共9页白杰 霍宗亮 刘璟 刘紫玉 张满红 杨建红 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CBA00600;2010CB934200);国家自然科学基金资助项目(60825403;61176080;61176073);国家重大科技专项(2009ZX02023005)
随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制。基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与基本要求,首先,指出单层SiO2作为阻挡层存在的主要问题,然后对高介...
关键词：电荷俘获存储器(CTM) 阻挡层 高K材料 隧穿 AL2O3 
Hf_xTi_(1-x)O_2电子结构与光学性质的第一性原理研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2010年第4期264-267,共4页段国玉 宋思超 魏昌东 王松有 贾瑜 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(No.2010CB933700)
利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,研究了金红石结构TiO2以及不同比例Hf替代Ti原子后形成的化合物HfxTi1-xO2的几何结构、电子结构和光学性质.计算结果表明,化合物HfxTi1-xO2都是具有间接带隙的半导体,Hf的替代使TiO2的禁带宽度...
关键词：高K材料 第一性原理 电子结构 光学性质 
二元高k材料研究进展及制备被引量：1
《功能材料》2002年第5期462-464,467,共4页周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 张志成 陈诺夫 林兰英 
国家 973基金资助项目 (G2 0 0 0 0 3650 5)
随着大规模集成电路的发展 ,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2 ,介绍了有可能替代SiO2 的几种二元材料的研究现状 ,主要包括Si3N4 、Ta2 O5、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3、Gd2 O3和CeO2几种材料的结构和电学性能 ,以及制备薄膜的几种方法 :...
关键词：研究进展 制备 高-k材料 蒸发法 CVD IBD 系统芯片 集成电路 
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