云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- Β-SIC

Β-SIC: 作品数：162被引量：362H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：一般工业技术化学工程更多>>; 相关作者：王晓刚陈寿田陆树河华小虎王嘉博更多>>; 相关机构：西安科技大学哈尔滨工业大学西安交通大学武汉科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家科技支撑计划陕西省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

Quantum confinement effect in β-SiC nanowires: 《Frontiers of physics》2018年第4期117-122,共6页Gang Peng Xiaoyan Yu Yan-Lan He Gong-Yi Li Yi-Xing Liu Xinfang Zhang Xue-Ao Zhang; This work was supported by the NationalNatural Science Foundation of China （Grant No. 61675234） and the Advanced Research Foundation of the National University of Defense Technology （Grant No. zk16-03-40）.; The quantum confinement effect is important in nanoelectronics and optoelectronics applications; however, there is a discrepancy between the theory of quantum confinement, which indicates that band-gap widening occurs...; 关键词：quantum confinement effect SiC nanowires （SiC NWs） band gap

β-SiC(001)晶面小分子吸附的第一性原理研究: 《兵器材料科学与工程》2017年第3期43-46,共4页程萍李永平屈卫清; 浙江省青年基金(LQ14F040004);浙江省教育厅科研项目(Y201533234;Y201432724);宁波市科技局计划项目(2015C10050;2016C10056); 采用平面波展开和第一原理赝势法对理想β-SiC(001)Si面晶体及可能吸附的H2、N_2、O_2、CO小分子的超晶胞进行计算。结果发现:当模拟条件为0 K且忽略原子驰豫时,以替位式吸附占据晶格位置时,除N_2外,其他小分子均可吸附在β-SiC(001)的S...; 关键词：Β-SIC 表面吸附分子模型

Shear response of β-SiC bulk dependent on temperature and strain rate: 《Acta Mechanica Solida Sinica》2017年第2期137-144,共8页Liang Wang Qunfeng Liu Wenshan Yu Shengping Shen; supported by the National Natural Science Foundation of China(NSFC Grants No.11632014,11302161 and11302162);China Postdoctoral Science Foundation(Grant No.2013M542339);the Chang Jiang Scholar program; The shear responses of β-SiC are investigated using molecular dynamics simulation with the Tersoff interatomic potential. Results show a clear decreasing trend in critical stress,fracture strain and shear modulus as ...; 关键词：β-SiC Fracture Temperature effect Strain rate Shear deformation

底部真空负压浸渗工艺制备β-SiC_p/Al电子封装材料被引量：2: 《铸造》2013年第10期953-957,共5页谢斌王晓刚华小虎易大伟; 国家自然科学基金资助项目(51074123);陕西省科学技术研究发展计划项目(2010TG-02);西安科技大学博士培育基金项目(2012QDJ034); 摘要：针对国内目前sic／A1在产业化中存在的诸多问题，选用W20和w60的β-SiC粉体，采用模压成型制备SiC预制体，并通过底部真空负压浸渗工艺制备了致密度为96％～98％、体积分数为55％～72％的β-SiCp/Al复合材料。XRD、SEM、CT和CTE...; 关键词：无压浸渗 β-SiCp AL复合材料热膨胀系数热导率

分子动力学模拟入射角度对F离子与β-SiC表面相互作用的影响: 《核技术》2011年第1期51-55,共5页赵成利孙伟中吕晓丹陈峰贺平逆刘华敏张俊源苟富均; 国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(批准号:2009GB104006);贵州省优秀青年科技人才培养计划(批准号:700968101)资助; 本文采用分子动力学方法模拟了不同入射角度对F离子与SiC表面相互作用的影响,模拟选择的入射能量为10 eV,入射角度分别为15?、30?、45?、60?和75?。模拟结果显示,F离子的沉积率随入射角度的增加而减小。当入射角度为45°时,Si原子和C原...; 关键词：分子动力学入射角度刻蚀 Si-C-F反应层

Prospects of a β-SiC based IMPATT oscillator for application in THz communication and growth of aβ-SiC p-n junction on a Ge modified Si〈100〉substrate to realize THz IMPATTs: 《Journal of Semiconductors》2010年第12期20-27,共8页Moumita Mukherjee Nilratan Mazumder; The prospects ofa p＋nn＋ cubic silicon carbide （3C-SiC/fl-SiC） based IMPATT diode as a potential solidstate terahertz source is studied for the first time through a modified generalized simulation scheme. The simul...; 关键词：cubic （β）-SiC single drift IMPATT diode parasitic resistance terahertz oscillation RTPCVD growth p-n junction formation

Modification of Band Gap of β-SiC by N-Doping被引量：2: 《Chinese Physics Letters》2009年第6期239-242,共4页刘红升房晓勇宋维力侯志灵路冉袁杰曹茂盛; The geometrical and electronic structures of nitrogen-doped β-SiC are investigated by employing the first principles of plane wave ultra-soft pseudo-potential technology based on density functional theory. The struct...

SiGe缓冲层对β-SiC(n)/c-Si(p)异质结特性的影响被引量：1: 《兰州交通大学学报》2008年第4期141-144,共4页张彩珍刘肃陈永刚吴蓉刘春娟; SiC/Si的界面特性严重影响着SiC/Si异质结的电学特性及光学特性.在β-SiC(n)/c-Si(p)异质结中引入Si Ge缓冲层,构造了Al/β-SiC(n)/Si Ge/c-Si(p)/Al典型的三明治异质结结构.对带有和不带Si Ge缓冲层的β-SiC(n)/c-Si(p)异质结的界面SE...; 关键词：异质结 SiGe缓冲层 SEM QE

无限微热源合成β-SiC炉内部温度的测量: 《甘肃科技》2008年第7期78-80,共3页田晓敏华小虎王晓刚; 利用红外线测温仪对炉中心温度进行了直接的测量,研究发现炉心温度上升到一定高度以后基本保持不变,且表面负荷越高炉心温度越高.另外,利用示性物质实现了炉内典型部位温度的测量,这种测温方法简单易行,最后根据测温结果对炉内温度进行...; 关键词：Β-SIC 合成温度测量预测

弯曲生长SiC纳米线的TEM表征被引量：1: 《电子显微学报》2006年第B08期44-45,共2页张跃飞韩晓东郑坤刘显强张泽郝雅娟郭向云; 国家973项目(No.2002CB613500).; 关键词：Β-SIC TEM表征纳米线宽带半导体材料生长弯曲一维纳米材料集成电子器件

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