暗电流

作品数：437被引量：969H指数：13
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高倍增低暗电流AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管被引量：3
《红外与毫米波学报》2021年第2期172-177,共6页郑大农 苏向斌 徐应强 牛智川 
国家基础研究计划(2018YFA0209104);国家自然科学基金(61790582)。
用分子束外延系统(MBE)生长高质量GaSb基AlInAsSb四元数字合金制作雪崩光电二极管(APD)。为了克服随机体材料生长方式发生的偏析现象,采用迁移增强的数字合金生长方式,其快门顺序为AlSb,AlAs,AlSb,Sb,In,InAs,In,Sb。其高分辨率X射线衍...
关键词：雪崩光电二级管 分子束外延 AlInAsSb 四元数字合金 
短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展被引量：23
《红外与激光工程》2020年第1期56-63,共8页李雪 邵秀梅 李淘 程吉凤 黄张成 黄松垒 杨波 顾溢 马英杰 龚海梅 方家熊 
国家重点基础研究发展计划(2012CB619200)。
短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦...
关键词：INGAAS 焦平面 短波红外 暗电流 探测率 
Si基PIN光电探测器电场隔离结构对暗电流的影响被引量：4
《半导体光电》2017年第6期802-805,共4页丰亚洁 何晓颖 刘巧莉 王华强 李冲 胡宗海 郭霞 
国家自然科学基金项目(61335004;61675046;61505003);国家"973"计划项目(2016YFB0400603);国家"863"计划项目(2015AA017101)
对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结...
关键词：Si基光电探测器 电场隔离结构 暗电流 
CsI(Tl)+Si-APD探测器的性能测试被引量：3
《原子核物理评论》2017年第2期190-194,共5页焦磊 金仕纶 李加兴 王建松 杨彦云 马朋 马军兵 白真 刘星泉 周济人 段芳芳 张兴 
国家自然科学基金资助项目(U1432247;U1332126;11075133;11575256;10205019);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2014CB845405);"西部青年学者"项目(科发人函字[2015]90号)~~
介绍了Si-APD的工作原理并对Si-APD中的暗电流进行了理论分析。基于RIBLL上产生的放射性核束流,使用CsI(Tl)+Si-APD探测器对中能重离子进行了能量测试。测试结果显示,CsI(Tl)+Si-APD探测器测量20 MeV/u的重离子时,可得到3%的能量分辨;...
关键词：暗电流 CsI(Tl) Si-APD 能量分辨 
含有超晶格电子势垒的In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器暗电流仿真和验证（英文）被引量：1
《红外与毫米波学报》2016年第6期662-666,共5页李庆法 李雪 唐恒敬 邓双燕 曹高奇 邵秀梅 龚海梅 
Supported by the National Key Basic Research and Development Program of China(2012 CB619200);National Natural Science Foundation of China(61205105,61376052,61475179)
为了获得In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SR...
关键词：In0.83Ga0.17As探测器 超晶格电子势垒 暗电流 TCAD仿真 
高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展被引量：25
《红外技术》2016年第8期629-635,共7页邵秀梅 龚海梅 李雪 方家熊 唐恒敬 李淘 黄松垒 黄张成 
国家重点基础研究发展计划(2012CB619200);国家自然科学基金(61376052;61475179)
中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,室温暗电流密度<5 n A/cm^2...
关键词：INGAAS 焦平面 短波红外 暗电流 探测率 
不同退火处理的台面型In_(0.83)Ga_(0.17)As pin光电二极管暗电流分析（英文）被引量：1
《红外与激光工程》2016年第5期75-80,共6页李平 李淘 邓双燕 李雪 邵秀梅 唐恒敬 龚海梅 
国家973项目(2012CB619200);国家自然科学基金(61205105;61007067;61475179)
为了研究延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管的暗电流机制。采用两种不同工艺制备了台面型延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管。第一种工艺(M135L-5)是:台面刻蚀后进行快速热退火(RTA)。第二种工艺(M135L-3)是:台面刻蚀前进行快...
关键词：快速热退火 延伸波长 INGAAS 暗电流 
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管的数值模拟研究被引量：1
《红外与激光工程》2016年第5期90-94,共5页李慧梅 胡晓斌 白霖 李晓敏 于海龙 徐云 宋国峰 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00608;2012CB619203;2015CB351902;2015CB932402);国家科技重大专项计划(2011ZX01015-001);国家自然科学基金(61036010;61177070;11374295;U1431231)
建立了SACM型In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As雪崩光电二极管(APD)的分析模型,通过数值研究和理论分析设计出高性能的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As APD。器件设计中,一方面添加了In0.52Al0.48As势垒层来阻挡接触层的少数载流子的扩散,...
关键词：雪崩光电二极管(APD) SACM结构 暗电流 增益 图像应用 
基于光斑跟踪系统的位敏传感器误差修正被引量：2
《红外与激光工程》2016年第4期148-153,共6页帅红俊 张帅 宋建涛 张建华 
国家重点基础研究发展计划(2015CB655005);上海市科学技术委员会项目(14XD1401800;14DZ2280900)
位置敏感探测器(PSD)测量误差主要来自于自身非线性、干扰和安装倾斜的影响,且PSD的直接测量范围受限于探测器的尺寸。针对这些问题,分析了自身非线性、干扰和安装倾斜的影响原理,根据测量值与实际值的线性关系,提出利用伺服模组与PSD...
关键词：位置敏感探测器 光斑跟踪系统 杂光暗电流 线性度 
用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制被引量：3
《红外与毫米波学报》2016年第1期37-41,共5页廖开升 李志锋 王超 李梁 周孝好 李宁 戴宁 
国家重点基础研究发展计划(2011CB922004);国家自然科学基金(61290304;61376053);上海技术物理研究所知识创新项目(QDX-64)资助的课题~~
提出了全外延技术方案制备阻挡杂质带薄膜,避免了离子注入制备背电极层影响外延薄膜质量的技术难点.基于硅器件工艺设计制作了Si：P阻挡杂质带红外探测器.测量了器件的光电流响应谱和暗电流特性曲线,指认了叠加在光电流响应谱上的尖锐...
关键词：阻挡杂质带 暗电流 远红外 太赫兹 
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