云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- NMOS

NMOS: 作品数：211被引量：189H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张佩杰宋克非吴训威韩郑生张鹤鸣更多>>; 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国科学院中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国防科技技术预先研究基金国家重点基础研究发展计划更多>>

基于Multisim14的NMOS场效应管放大电路仿真分析: 《电子技术（上海）》2024年第6期7-9,共3页张华; 阐述Multisim14是一款工业级电子仿真软件,具有灵活的使用方式和强大的功能。在实际教学中,针对场效应管学习的难点,应用Multisim14仿真软件进行虚拟仿真辅助教学,仿真结果说明场效应管放大电路受温度影响很小,使用Multisim14进行仿真...; 关键词：增强型NMOS Multisim14 电路仿真

180 nm嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术: 《物理学报》2022年第23期347-354,共8页陈晓亮孙伟锋; 抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMOS器件进行加固,实...; 关键词：总剂量辐射效应工艺加固高压器件嵌入式闪存

基于6个NMOS管的SRAM存储原理分析: 《德州学院学报》2021年第6期70-73,78,共5页孙志卓于瑞玲刘利东杨建刘树海孙寿龙; 静态随机存储器(SRAM)是计算机的重要组成部件.基于6个NMOS管的SRAM存储原理分析,涉及较多半导体器件方面的相关知识,由于课时限制等因素,相关教材很少进行深入分析.在授课过程中,部分学生对该内容表现出较强的学习意愿.为此提出一种面...; 关键词：计算机组成原理存储器 SRAM NMOS

SPICE模型的NMOS仿真: 《电子世界》2021年第19期180-181,共2页周月季王健; SPICE模型是由美国加州大学伯克利分校的电子研究实验室于1975年开发出来的一种功能非常强大的通用模拟电路仿真器。利用SPICE模型,可以精确地在电路器件一级,仿真系统的工作特性、验证系统的逻辑功能。本文提出了一种NMOS器件仿真SPIC...; 关键词：波形仿真验证系统仿真系统电路器件逻辑功能模拟电路仿真实验室

基于CAN总线的大电流电子继电器的设计被引量：4: 《计算机测量与控制》2020年第1期170-174,共5页杨云露龚元明周建鹏; 汽车上的常规负载开关常采用普通机械继电器做功率开关器件,但因有机械触点,常常发生触头氧化或粘连等故障;这篇论文对带有CAN总线通讯功能的电子式继电器进行了研究,以Infineon XC2234L微处理器、NMOS和CAN总线收发器为控制核心,利用Al...; 关键词：CAN总线大电流电子继电器 NMOS

一种NMOS高侧驱动电路: 《长春工业大学学报》2019年第6期593-599,共7页刘辉刘进徐成栋; 国家重大科学仪器设备开发专项项目(2014YQ120351);吉林省大学生创新创业训练计划项目(吉教高字[2018]30号3845); 采用开关变压器隔离供电的方法解决了驱动信号电平偏移和高侧NMOS驱动电路的悬浮供电问题,从而低侧单片机I/O口可以控制高侧NMOS的导通和截止。分析了高侧NMOS的导通条件,进而控制其可靠导通。; 关键词：高侧驱动隔离供电开关变压器

一种新型低功耗D锁存器设计: 《无线通信技术》2017年第3期54-59,共6页雷师节邬杨波; 国家自然科学基金(61671259)资助课题; 本文提出了一种新型低功耗D锁存器,通过在直接交叉耦合D锁存器的接地端串联一个由输出反馈控制的NMOS管,部分消除了锁存器状态转换过程中的竞争现象,从而减小了电路的短路功耗,在数据保持阶段由晶体管的堆叠效应降低了电路的漏功耗。标...; 关键词：低功耗 D锁存器 NMOS反馈

A transient-enhanced NMOS low dropout voltage regulator with parallel feedback compensation被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2016年第2期131-136,共6页王菡谭林; This paper presents a transient-enhanced NMOS low-dropout regulator （LDO） for portable applications with parallel feedback compensation. The parallel feedback structure adds a dynamic zero to get an adequate phase m...; 关键词：parallel feedback compensation class-AB amplifier fast charging/discharging unit transient re-sponse low-dropout regulator （LDO）

紫外可见NMOS线阵图像传感器量子效率的定标研究被引量：1: 《红外与激光工程》2015年第9期2844-2848,共5页崔程光王淑荣李博王俊博黄煜; 国家自然科学基金(41105014;41575023); 作为一种新型紫外可见线阵图像传感器,紫外可见NMOS已经应用于国外的空间遥感探测中,但是目前在国内相关研究甚少。在紫外可见波段针对NMOS的重要光电性能参量——量子效率进行了定标研究,为NMOS线阵图像传感器在紫外空间遥感探测的应...; 关键词：遥感量子效率标准探测器线阵图像传感器定标

A Phase Change Memory Chip Based on Ti Sb Te Alloy in 40-nm Standard CMOS Technology被引量：2: 《Nano-Micro Letters》2015年第2期172-176,共5页Zhitang Song Yi Peng Zhan Daolin Cai Bo Liu Yifeng Chen Jiadong Ren; supported by the‘‘Strategic Priority Research Program’’of the Chinese Academy of Sciences(XDA09020402);National Key Basic Research Program of China(2013CBA01900,2010CB934300,2011CBA00607,2011CB932804);National Integrate Circuit Research Program of China(2009ZX02023-003);National Natural Science Foundation of China(61176122,61106001,61261160500,61376006);Science and Technology Council of Shanghai(12nm0503701,13DZ2295700,12QA1403900,13ZR1447200,14ZR1447500); In this letter, a phase change random access memory(PCRAM) chip based on Ti0.4Sb2Te3 alloy material was fabricated in a 40-nm 4-metal level complementary metal-oxide semiconductor(CMOS) technology. The phase change re...; 关键词：PCRAM Ti0.4Sb2Te3alloy CMOS NMOS

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