N型GAN

作品数：19被引量：31H指数：3
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张国义秦志新张利民张小东赵旺更多>>
相关机构：中国科学院北京大学兰州大学三菱化学株式会社更多>>
相关期刊：《高技术通讯》《发光学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
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Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的欧姆接触研究被引量：5
《高技术通讯》2004年第2期36-39,共4页陈志忠 秦志新 胡晓东 于彤军 童玉珍 丁晓民 杨志坚 张国义 
通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN...
关键词：n型氮化镓 欧姆接触 电流-电压特性 传输线法 两步合金法 
位错对n型GaN光助电化学腐蚀的中止作用
《高技术通讯》2001年第4期94-95,98,共3页陈克林 张荣 王国鹏 俞慧强 顾书林 沈波 施毅 王慧田 郑有 
863计划! ( 863 715 0 0 1 0 2 2 0;863 715 0 11 0 0 3 1;863 3 0 7 12 3 0 5 );国家自然科学基金!资助项目 ( 699760 14;698
对用氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的n型GaN进行光助电化学 (PEC)腐蚀研究 ,发现了位错中止腐蚀的直接证据 ,并对其机理作了探讨。
关键词：氢化物气相外延 光助电化学腐蚀 位错中止腐蚀 氮化镓 
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