N型掺杂

作品数：55被引量：99H指数：5
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相关作者：黄诗浩王若铮王宏兴赵丹王玮更多>>
相关机构：中国科学院厦门大学河北工业大学清华大学更多>>
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非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1548-1551,共4页韩晓艳 李贵君 侯国付 张晓丹 张德坤 陈新亮 魏长春 孙健 薛俊明 张建军 赵颖 耿新华 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202602;2006CB202603);国家自然科学基金(批准号:60506003);国家科技计划配套基金(批准号:07QTPTJC29500)资助项目~~
采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的p层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表...
关键词：超高频等离子增强化学气相沉积技术 非晶硅/微晶硅叠层电池 n/p隧穿结 
氮化硼薄膜的制备和离子注入掺杂
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期127-130,共4页邓金祥 陈浩 刘钧锴 田凌 张岩 周涛 何斌 陈光华 王波 严辉 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60376007)
通常人们对氮化硼薄膜的S掺杂,采用的是在氮化硼制备过程中就地掺杂的方法,文中则采用S离子注入方法.氮化硼薄膜用射频溅射法制得.实验结果表明,在氮化硼薄膜中注入S,可以实现氮化硼薄膜的n型掺杂;随着注入剂量的增加,氮化硼薄膜的电阻...
关键词：氮化硼薄膜 N型掺杂 离子注入 
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