PCVD

作品数:241被引量:448H指数:9
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PCVD法制备Fe-6.5%Si高硅钢片的工艺研究被引量:5
《表面技术》2013年第3期88-90,共3页周磊 潘应君 徐超 彭骏松 张改璐 
为制备Fe-6.5%Si高硅钢片,先利用PCVD技术在0.2 mm厚的纯铁片表面沉积硅,再进行高温扩散。通过正交实验分析了沉积硅的工艺参数对表层硅含量的影响,并研究了扩散参数对截面硅含量分布的影响。结果表明:以10%SiH4+90%Ar作为渗源气,在500...
关键词:PCVD 6 5%Si硅钢片 渗硅 扩散处理 
PCVD-Ti(CNO)薄膜的制备及性能的研究被引量:1
《表面技术》1998年第5期11-13,共3页彭红瑞 石玉龙 谢雁 李世直 赵程 
研究了Ti(CN)薄膜内氧的作用.研究结果表明,Ti(CN)薄膜内加入氧后可以消除薄膜的柱状晶结构,薄膜的断口呈致密的纤维状组织.随着反应气体中空气或CO_2气体流量的增加,Ti(CNO)薄膜的硬度呈上升趋势,并在空气的流量为40ml/min或CO_2的流量...
关键词:PCVD 薄膜 等离子体沉积  金属 涂层 
一种PCVD用直流脉冲电源研制
《表面技术》1997年第5期6-9,共4页刘军海 陆明珠 何家文 
提出了一种PCVD炉用新型幅度调制型直流脉冲电源.它包括三相整流滤波电路、IGBT逆变电路、输出整流电路、输出取样电路、辅助电源电路、过流保护电路、高频脉冲发生及反馈控制单元、低频基波发生器电路等.三相整流滤波电路的输入端接外3...
关键词:PCVD 脉冲电源 调制 表面处理 等离子体 
PCVD法制6.5%Si电工钢的研究被引量:2
《表面技术》1997年第4期14-15,共2页吴润 张细菊 吴新杰 陈大凯 
研究了PCVD法在电工钢上沉积Si的规律及其电磁性能,探讨了处理温度对表层中Si含量影响。DW620—50电工钢经PCVD处理后磁性能得以改善,高温扩散后其铁损降低了45.2%,磁饱和强度提高了4.5%。
关键词:PCVD法 电工钢 高温扩散 沉积  
一种旋转阳极PCVD炉设计
《表面技术》1997年第3期26-27,共2页刘军海 陆明珠 苏启生 
根据当前等离子体化学气相沉积(PVCD)炉所存在的电场及供气分布不均等问题,提出了一种新的设计方案。其特征在于真空室内的阳极筒由控制电机通过传动机构带动旋转,反应气体通过旋转的气流分配系统导入真空室;本设计的预期效果是在进行P...
关键词:PCVD 旋转阳极 阳极 金属镀膜炉 
PCVD法制高硅钢的研究
《表面技术》1996年第6期16-16,20,共2页夏先平 吴润 陈大凯 吴新杰 
利用等离子体增强化学气相沉积(PCVD)法对低硅钢进行了SiCl_4、SiH_4涂层处理,再经高温扩散后制得了高硅钢,使其磁性能大为改善,铁损P15/50,降低约45.1%,磁感应强度提高4.5%左右。
关键词:等离子体 涂层 化学气相沉积 硅钢片 软磁材料 
铝型材挤压模具PCVD TiN必要条件研究被引量:3
《表面技术》1995年第1期33-35,共3页常志梁 董良 张金旺 杨川 吴大兴 陶佑卿 
针对铝型材挤压模具,通过理论分析和实验验证,表明并不是所有尺寸的模具均能实现离子体化学气相沉积(PCVD),而是当工作带宽度与阴极放电长度满足一定关系时,才能有效地实现沉积,文中给出了这个必要条件。
关键词:工艺 铝型材 挤压成型 模具 气相沉积 氮化钛 
实用的PCVD工艺技术被引量:4
《表面技术》1992年第5期235-238,共4页龙中俊 唐其环 
介绍了等离子体化学气相沉积(PCVD)氮化钛工艺的特点,通过对氮化钛涂层的性能分析及在涂层刃具上的应用实例,说明了该工艺与同类气相沉积工艺相比具有的先进性、实用性。
关键词:气相沉积 氮化钛 刀具 
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