PIN光电探测器

作品数：46被引量：126H指数：6
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相关机构：厦门大学中国科学院电子科技大学北京工业大学更多>>
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高性能波导集成型锗pin光电探测器的制备被引量：3
《微纳电子技术》2018年第5期305-311,共7页刘道群 李志华 冯俊波 唐波 张鹏 王桂磊 
国家科技重大专项(2017ZX02315004)
采用CMOS兼容工艺,在绝缘体上硅（SOI）晶圆片上制备了高性能波导集成型锗pin光电探测器。该光电探测器锗区长度为15μm,宽度分别为1,2,3,4和5μm。光波导与探测器间的光耦合为倏逝波耦合。为了进一步提高探测器的性能,在结构设计上采...
关键词：光电探测器 波导集成 选择性外延 锗(Ge) PIN 绝缘体上硅(SOI) 
一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器被引量：3
《微纳电子技术》2014年第4期214-218,248,共6页车相辉 张宇 宁吉丰 李洪涛 王晶 位永平 张豫黔 赵润 陈宏泰 
分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的...
关键词：INGAAS 光电探测器 暗电流 响应度 光纤通信 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 
高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制
《微纳电子技术》2007年第7期196-197,209,共3页王承栋 杨集 冯士维 张跃宗 庄四祥 张弓长 
北京市自然科学基金资助项目(21002015200501);教育部出国留学人员基金资助项目(63002015200401)
分析了影响探测器响应度的各因素，在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计，以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结...
关键词：探测器 光响应度 铟镓砷/磷化铟 
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