P阱

作品数：13被引量：7H指数：2
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高压P阱LDMOS的结构分析及其参数分析
《集成电路应用》2003年第12期43-46,共4页黄海涛 王伟国 
衡量HVIC工艺的一个重要的标准是其内的主要单元LDMOS的参数是否合乎工艺设计的要求。本文简略分析了700V P阱HVIC工艺中的LDMOS结构,并对LDMOS的参数略加分析。
关键词：HVIC LDMOS 场限环 RESURF 高压集成电路 多晶保护环 
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