RESURF结构

作品数：8被引量：19H指数：2
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埋空隙PSOI结构的耐压分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1818-1822,共5页段宝兴 张波 李肇基 罗小蓉 
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布.在相同击...
关键词：RESURF结构 APSOI 自热效应 表面电场 击穿电压 
阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析被引量：12
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1396-1400,共5页段宝兴 张波 李肇基 
提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和.模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表...
关键词：SOI RESURF结构 阶梯埋氧型SOI 电场调制 比导通电阻 
薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2000年第2期161-168,共8页李文宏 罗晋生 
提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ 方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型．并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法．利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵ...
关键词：SOI RESURF结构 击穿电压 薄膜 
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