SI/SIGE

作品数：59被引量：59H指数：4
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基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究被引量：1
《半导体技术》2007年第5期397-401,共5页舒斌 张鹤鸣 任冬玲 王伟 
国家重点预研基金资助项目(51408061104DZ01)
提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而...
关键词：异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管 应变SI 应变SiGe 垂直层叠 
用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT高频噪声性能
《半导体技术》2005年第10期19-21,45,共4页杨维明 史辰 徐晨 陈建新 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善。
关键词：离子注入 异质结双极晶体管 噪声系数 基极电阻 
Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟
《半导体技术》2004年第11期41-44,共4页杨维明 陈建新 邹德恕 史辰 李振国 高铭洁 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
用实验测量和理论计算相结合的方法提取了Si/SiGe 异质结晶体管的直流和高频参数,分别在PSPICE和MATLAB软件平台上模拟并分析了器件的直流和高频特性,模拟结果与实际测量的结果相吻合,表明本文的提取方法可行、参数提取结果有效。
关键词：异质结晶体管 PSPICE MATLAB 模拟 
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