SPICE模型

作品数：106被引量：155H指数：6
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基于电压阈值忆阻器SPICE模型的加法器电路设计被引量：2
《实验室研究与探索》2022年第5期73-77,158,共6页黄丽莲 朱耿雷 项建弘 张春杰 李文亚 
2017年黑龙江省教育教学改革项目(SJGY20170515);2019年哈尔滨工程大学本科教学改革研究项目(JG2019B69);2020年黑龙江省教学改革项目(SJGY20200147)。
针对逻辑电路的应用设计了一种功能完整的电压阈值忆阻器SPICE模型,并对其进行实验测试与验证。利用电压阈值忆阻器SPICE模型搭建了MRL(忆阻比例逻辑门)和多功能忆阻模块,运用在搭建加法器中,设计了一种基于电压阈值忆阻器的加法器电路...
关键词：电压阈值忆阻器 SPICE模型 加法器电路 
可重构逻辑门电路的设计与仿真被引量：1
《信息通信》2020年第7期114-116,共3页陈夏寅 刘高飞 彭菊红 李培文 付迅 
大学生创新创业项目编号:201710512009;校级教研项目编号:201935。
文章设计出一种基于忆阻器的可重构逻辑门电路,并利用忆阻器的SPICE模型,对设计的电路进行了仿真验证。该电路单元可实现多种基本逻辑运算,在此单元电路基础上设计了3线-8线译码器的电路。可重构逻辑门电路结构简单,可实现多种逻辑运算...
关键词：忆阻器 可重构电路 SPICE模型 3线-8线译码器 数据存储 
基于TLP建模的系统级静电放电效应仿真被引量：3
《强激光与粒子束》2019年第10期46-49,共4页陈强 徐可 陈真真 陈星 
四川大学研究生创新基金项目(2018YJSY061)
系统级静电放电(ESD)效应仿真可以在电子系统进行测试之前进行有效的静电放电效应防护,缩短研发周期。根据传输线脉冲测试(TLP)结果,对瞬态电压抑制(TVS)二极管和芯片引脚进行spice行为建模,结合ESD脉冲源的等效电路模型,PCB板的S参数模...
关键词：静电放电 传输线脉冲测试 TVS二极管 SPICE模型 场路协同仿真 
基于电场分布特性的环形栅器件SPICE模型研究被引量：1
《微电子学与计算机》2012年第12期140-144,共5页张波 肖立伊 付方发 
哈尔滨市科技创新人才研究专项基金(2012RFXXG042)
提出了一种新颖的、更加通用的环形栅器件版图等效宽度提取方法,用于解决目前商用SPICE模型中版图宽度提取方法不适用于环形栅器件这一问题.该方法基于环形栅中沟道电场分布特性,可用于提取多种形状环形栅版图宽度.提出了SPICE模型中模...
关键词：环形栅 电场分布 等效宽度 SPICE模型 TCAD 
基于ADS的S波段平衡式宽带低噪声放大器设计被引量：6
《现代电子技术》2012年第12期149-152,共4页徐晓宁 胡兆刚 
针对宽带雷达接收前端的应用,基于ADS软件设计了一种S波段平衡式宽带低噪声放大器。在软件仿真中使用晶体管的Spice模型,在确定直流工作点后进行输入端的最小噪声阻抗匹配和输出端的最大增益阻抗匹配,最后给出了仿真结果和版图设计。同...
关键词：平衡式放大器 ADS联合仿真 90°宽带功分器 SPICE模型 
基于宏模型的同步开关噪声仿真分析
《半导体技术》2008年第1期39-41,共3页蒋历国 施国勇 
同步开关噪声（SSN）对具有上百个输入／输出端口的高性能FPGA系统具有很大的影响，已经成为深亚微米设计所必须考虑的主要问题之一。由于没有考虑电压反馈效应，IBIS模型在仿真SSN时，总是过高估计电源噪声、地噪声和静线噪声。为提高I...
关键词：IBIS模型 SPICE模型 信号完整性 同步开关噪声 
评价Spice模型不能仅考虑直流与交流性能
《电子设计技术 EDN CHINA》2005年第11期86-86,共1页Ron Mancini 
在使用Spice以前,评价其直流与交流性能是成功的关键.但模型评价不应仅限于此,设计者还应了解,当有源器件模型在非线性区域工作时的执行情况以及有怎样的关键交流指标.这些参数很难或不可能通过数据资料来验证,因为数据资料并未给出在...
关键词：SPICE模型 模型评价 交流指标 波形失真 共模抑制 CMR 
一种应用于LDO稳压器的CMOS误差放大电路的设计被引量：1
《中国集成电路》2005年第11期46-49,共4页刘鸿雁 来新泉 
本文设计了一种应用于集成稳压器的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构,并通过嵌套密勒补偿和动态频率补偿技术,显着改善了其性能指标。采用Hynix0.5μmCMOSHspice模型进行仿真后表明,此款带隙基准电路在较...
关键词：放大电路 CMOS LDO稳压器 设计 误差 应用 SPICE模型 补偿技术 集成稳压器 
高压VDMOS器件的SP ICE模型研究
《固体电子学研究与进展》2005年第3期410-415,共6页赵野 孙伟锋 易扬波 鲍嘉明 时龙兴 
国家高技术研究发展计划("863"计划)资助项目(No.2003AA1Z1400)
基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解...
关键词：SPICE模型 高压集成电路 非均匀沟道 纵向双扩散金属氧化物半导体 漂移区 
三端分子电子器件通用模型
《电子器件》2005年第3期512-515,共4页林兆骥 赵虎 罗亮 许进 
国家自然科学基金(No.30370356;60274026;60373089)
三端分子器件对于需要功率增益和信号还原的分子电路来说是非常重要的,本文提出了一种一般的三端分子器件的通用器件模型(UniversalDeviceModel,简记为UDM),用于在纳米尺度下的分子电路仿真和设计。同时,本文还给出了基于UDM的电路的理...
关键词：三端分子器件 分子电路 UDM SPICE模型 EM2模型 
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