SRAM

作品数：1042被引量：981H指数：11
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相关作者：吴秀龙彭春雨韩郑生蔺智挺卢文娟更多>>
相关机构：安徽大学国防科学技术大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所更多>>
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双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计被引量：2
《半导体技术》2023年第7期617-623,共7页李学瑞 秋小强 刘兴辉 
辽宁省自然科学基金资助项目(2021-MS-148)。
针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平...
关键词：双端口静态随机存储器(SRAM) 位线电平复制 写干扰 控制逻辑 数据写入时间 
非易失性静态随机存储器研究进展
《半导体技术》2022年第1期1-8,18,共9页冯平 尹家宇 宋长坤 余仕湖 李伯阳 陈铖颖 左石凯 
国家自然科学基金资助项目(61704143);福建省自然科学基金面上项目(2020J01295);厦门市2020年青年创新基金资助项目(3502Z20206074)。
在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在...
关键词：非易失性 静态随机存储器(SRAM) 恢复率 漏电流 功耗 
基于TSV转接板的3D SRAM单粒子多位翻转效应被引量：1
《半导体技术》2021年第3期229-235,254,共8页王荣伟 范国芳 李博 刘凡宇 
国家自然科学基金资助项目(11905287,61874135,62011530040)。
为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D封装SRAM模型,并选取6组相同线性能量传递(LET)值、不同能量的离子(^(11)B与^4He、^(28)Si与^(19)...
关键词：硅通孔(TSV)转接板 三维静态随机存储器(SRAM) 单粒子翻转(SEU) 重离子 多位翻转(MBU) Geant4软件 
SRAM版图布局方向对产品失效率的影响
《半导体技术》2021年第3期236-240,共5页梁家鹏 唐晓柯 关媛 李大猛 李秀全 王小曼 
静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元。由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素。针对一款微控制单元(MCU)芯片的SRAM失效问题,进行逻辑地址分析确认失...
关键词：静态随机存储器(SRAM) 版图布局 光刻 关键尺寸 工艺窗口 
基于SRAM的并行路由算法搜索芯片设计
《半导体技术》2020年第7期499-504,535,共7页张兵 沈浩杰 项耀阳 靳新波 温芝权 
×××预研项目(××××)。
针对三态内容可寻址存储器(TCAM)高成本、高功耗、路由表更新维护复杂以及搜索结果返回单一等问题,提出了一种使用静态随机存储器(SRAM)和自适应矩阵硬件算法逻辑的搜索芯片设计新技术。该技术使用SRAM快速存储路由表项等信息,使用硬件...
关键词：路由查找 三态内容可寻址存储器(TCAM) 并行搜索 静态随机存储器(SRAM) 硬件算法逻辑 
适于纳米探针电性能测试的SRAM样品制备方法
《半导体技术》2020年第5期404-408,共5页曹守政 庞凌华 钱洪涛 
在先进制程静态随机存储器(SRAM)单比特失效的分析过程中,SRAM样品制备是关键,传统研磨方法制备的样品其表面容易出现钨栓缺失的问题。利用离子精密刻蚀仪制备用于纳米探针电性能测试的SRAM样品。通过刻蚀仪改变刻蚀能量和刻蚀角度来制...
关键词：失效分析 样品制备 精密刻蚀 纳米探针 静态随机存储器(SRAM) 
28nm工艺制程SRAM高低温失效分析被引量：1
《半导体技术》2019年第9期717-722,共6页魏文 
采用SRAM读/写功能分析、晶圆可接受测试(WAT)分析、SRAM操作电路分析相结合的方法,找出28 nm工艺平台开发过程中高温(125℃)和低温(-40℃)测试条件下静态随机存储器(SRAM)比特失效的根本原因,发现高温比特失效是由于SRAM器件局部不匹...
关键词：28 NM 高低温 静态随机存储器(SRAM) 读串扰失效 写失效 
热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响
《半导体技术》2019年第2期135-139,共5页陈晓亮 陈天 钱忠健 张强 
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02305-002)
浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一。CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电路漏电流有重要影响。使用TCAD软件对STI结构应力分布...
关键词：浅槽隔离(STI) 热应力 漏电流 牺牲氧化层(SAC OX) 静态随机存储器(SRAM) 
一种新型单粒子翻转加固SRAM单元被引量：3
《半导体技术》2018年第12期941-948,共8页刘鸿瑾 李天文 稂时楠 张建锋 刘群 袁大威 
国家自然科学基金资助项目(41606219,41776186)
随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢...
关键词：单粒子翻转(SEU) 静态随机存储器(SRAM) 抗辐照加固设计 多节点翻转 存储器 
28 nm低功耗工艺SRAM失效分析被引量：4
《半导体技术》2017年第9期717-720,共4页魏文 蔡恩静 高金德 
在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析。指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致。并通过元素成分分析确定接触孔底部...
关键词：28 NM 低功耗 静态随机存储器(SRAM) 双比特失效 写失效 
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