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作品数：427被引量：579H指数：9
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碳对Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金氧化的影响
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1119-1121,共3页王亚东 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 96 86 0 0 2 )~~
利用椭圆偏振仪 (EL)、傅里叶红外光谱 (FTIR)研究了 Si1 - x- y Gex Cy 合金分别在 90 0℃和 10 0 0℃干氧气氛下形成氧化物的生长动力学 .结果表明 :在 90 0℃氧化时 ,随着合金中的替代碳含量的增加 ,氧化速率逐渐下降 ;而在 10 0 0...
关键词：锗硅碳薄膜 氧化动力学 碳 合金 
Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第1期52-56,共5页于卓 李代宗 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 
国家自然科学基金资助项目 !( No.6 9876 2 6 0 )&&
研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指出由于 Ge和 C的投影射程及标准偏差不同 ,二者在各处的组分比并不恒定 ,存在着纵向分布 ,因此各处的应变...
关键词：应变补偿 半导体材料 SIGEC 三元化合物 
用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料被引量：3
《Journal of Semiconductors》2000年第9期862-866,共5页于卓 李代宗 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 
国家自然科学重大基金资助项目!编号 698762 60&&
分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统...
关键词：Si1-x-yGexCy材料 固相外延 三元系 半导体材料 
Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第7期677-681,共5页程雪梅 郑有炓 刘夏冰 臧岚 朱顺明 韩平 罗志云 江若琏 
国家自然科学重点基金项目 !( 6963 60 4 0 );高等学校博士学科点专项科研基金资助项目;国家攀登计划资助项目
采用等离子体增强化学气相淀积 ( PECVD)法在 Si( 1 0 0 )衬底上淀积一层厚度约为1 70 nm的富 Ge高 C含量的 Si1- x- y Gex Cy 薄膜 ,然后将其分别在 80 0℃和 1 1 0 0℃下湿氧氧化2 0 min.在室温下观测到强烈的光致发光 .室温下的光致...
关键词：薄膜 室温光致发光 SI基 SIGEC 
Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究
《Journal of Semiconductors》1999年第8期650-655,共6页江宁 臧岚 江若琏 朱顺明 刘夏冰 程雪梅 韩平 王荣华 胡晓宁 方家熊 
本文报道了用快速加热化学气相淀积方法，乙烯（ Ｃ２ Ｈ４）作为 Ｃ 源在 Ｓｉ（１００）衬底上生长 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜的实验结果．经喇曼（ Ｒａｍ ａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ）测量表明...
关键词：硅 三元合金薄膜 化学气相淀积 
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