4H-SIC

作品数：647被引量：600H指数：8
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6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究
《微纳电子技术》2024年第7期86-92,共7页李帅 房玉龙 芦伟立 王健 郝文嘉 李建涛 陈宏泰 王波 牛晨亮 
随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体...
关键词：4H-SIC 小坑缺陷 高质量外延 碳硅比 生长温度 
150mm高质量15kV器件用4H-SiC同质外延生长被引量：1
《微纳电子技术》2022年第5期489-493,共5页吴会旺 杨龙 薛宏伟 袁肇耿 
工业和信息化部2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项。
采用化学气相沉积法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)厚层4H-SiC同质外延片的快速生长,通过对工艺中预刻蚀、碳硅比(C/Si)和温度等关键参数优化,有效降低了厚层外延片表面缺陷密度。同时,采用傅里叶变换红外法、汞探针电容电压法和表面缺陷测...
关键词：4H-SIC 同质外延 厚层外延 表面缺陷 快速率生长 
高灵敏度4H-SiC基高温压力传感器被引量：6
《微纳电子技术》2021年第6期489-495,538,共8页李永伟 梁庭 雷程 李强 李志强 熊继军 
国家自然科学基金重点项目(51935011);中央引导地方科技发展专项资金资助项目(YDZX2020-1400001664);太原工业学院青年学科带头人资助项目(2020XKLG04)。
p型4H-SiC相较n型4H-SiC具有更高的压阻效应,p型4H-SiC正方形膜片作为弹性元件相较圆形膜片具有更高的灵敏度。基于此,设计了一种基于p型4H-SiC压阻效应的高灵敏度碳化硅压力传感器,探索了Ni/Al/Ni/Au与p型4H-SiC之间形成良好欧姆接触...
关键词：压力传感器 微电子机械系统(MEMS) 碳化硅(SiC) 压阻效应 弹性元件 
高质量6英寸4H-SiC同质外延层快速生长被引量：4
《微纳电子技术》2021年第5期446-451,共6页薛宏伟 袁肇耿 吴会旺 杨龙 
工业和信息化部2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项。
采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸=2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H_(2)比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率达到101μm/h。同时,系统研究了C/Si比对4H-SiC同质外延层生...
关键词：4H-SIC 同质外延片 C/Si比 表面缺陷密度 基面位错(BPD)密度 
基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能
《微纳电子技术》2020年第9期714-719,共6页夏经华 桑玲 查祎英 杨霏 吴军民 王世海 万彩萍 许恒宇 
国家电网有限公司总部科技项目(5455GB180003)。
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容...
关键词：4H-SIC 金属氧化物半导体(MOS)电容 原子层沉积(ALD) ALON 界面态 介质零时击穿(TZDB) 高k栅介质材料 
碳空位对10 kV 4H-SiC pin二极管载流子寿命的影响
《微纳电子技术》2020年第8期604-608,共5页夏经华 查祎英 桑玲 杨霏 吴军民 
国家电网有限公司总部科技资助项目(5455GB170004)。
使用p+n-n+外延结构制备了10 kV4H-SiC pin二极管,在室温下通过时间分辨光致发光(TRPL)谱法在低掺杂外延层中测量载流子寿命,根据晶圆上大量二极管的电容-电压测量值估算掺杂浓度,采用深能级瞬态谱(DLTS)法获得了影响载流子寿命的主要...
关键词：4H-SIC PIN二极管 载流子寿命 碳空位 深能级缺陷 
4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET高低温下的特性被引量：1
《微纳电子技术》2020年第8期609-616,共8页祁金伟 田凯 张勇 张安平 
National Key Research and Development Program(2017YFB1200902-09);Dongguan Introduction Program of Leading Innovative and Entrepreneurial Talents。
采用自对准工艺制备了1.2 kV4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET器件,并在90~490 K的温度范围内对4H-SiC MOSFET器件的静态和动态特性与商用1.2 kV Si IGBT器件的性能进行了对比研究。4H-SiC MOSFET器件的静态特性包括导通电阻(Ron)和阈值电压(...
关键词：4H-碳化硅(SiC) 平面型MOSFET 沟槽型MOSFET 温度效应 动态导通电阻退化 
功率器件用n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触工艺被引量：2
《微纳电子技术》2020年第7期568-576,共9页夏经华 桑玲 杨香 郑柳 查祎英 田亮 田丽欣 张文婷 杨霏 吴军民 
国家电网有限公司总部科技项目(5455GB180006)。
综述了在n/p型4H-SiC上同时形成欧姆接触技术的研究进展,包括欧姆接触理论、欧姆接触工艺及其优缺点以及热稳定性/可靠性等方面。重点介绍了基于Ni基金属的n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触的工艺,包括以金属Ni为基础并结合Ti和Al与W等金属...
关键词：n/p型4H-SiC Ni基金属 同时形成欧姆接触 欧姆接触机理 合金相 
4H-SiC同质外延基面位错的转化被引量：2
《微纳电子技术》2020年第3期250-254,共5页杨龙 赵丽霞 吴会旺 
采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀。采用同步加速X射线衍射仪和光学显微镜对外延前后基面位错(BPD)形貌进行系统表征,分析了基面位错向刃位错转化的过程。外延生...
关键词：4H-SIC 同质外延片 基面位错(BPD) 刃位错 侧向生长 碳硅比 
具有场限环终端的6500 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管的研制被引量：2
《微纳电子技术》2019年第2期95-100,共6页李嘉琳 桑玲 郑柳 田丽欣 张文婷 
国家电网公司总部科技项目(5455GB180001)
阐述了6 500 V4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的设计、仿真和制备过程,并对流片结果进行了测试,分析了测试结果与仿真结果差异的原因。通过仿真对比分析了漂移区厚度、掺杂浓度、有源区p+区和场限环终端参数对器件电学特性的影响,数值...
关键词：4H-SIC 场限环终端 结势垒肖特基(JBS)二极管 功率器件 
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